公开(公告)号：CN112563194A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011412820.3

申请日：2020-12-04

Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司

Inventor： 褚华斌 ,  刘天建 ,  叶国梁 ,  曾甜

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，其在形成由从衬底的第一表面朝向第二表面延伸的金属插塞的过程中，衬底发生翘曲使第一表面呈凹陷曲面，通过在衬底的第二表面形成第一介质层以产生与衬底翘曲方向相反的拉应力，以降低衬底的翘曲度，并使第一表面平整。进而减小半导体结构的应力，提升半导体结构的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN104242642A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410466335.2

申请日：2014-09-12

Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司

Inventor： 甘泉 ,  黄海 ,  褚华斌

IPC: H02M3/155

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种带有双相降压转换器的电流平衡电路，采用一个工作时间产生器进行工作，一方面可以消除若干工作时间产生器之间的相互匹配问题，以实现通道电流的平衡，另一方面该电路设计和系统框架设计较为简单，占据芯片的面积较小，设计成本较低。

公开(公告)号：CN112563194B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202011412820.3

申请日：2020-12-04

Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司

Inventor： 褚华斌 ,  刘天建 ,  叶国梁 ,  曾甜

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，其在形成由从衬底的第一表面朝向第二表面延伸的金属插塞的过程中，衬底发生翘曲使第一表面呈凹陷曲面，通过在衬底的第二表面形成第一介质层以产生与衬底翘曲方向相反的拉应力，以降低衬底的翘曲度，并使第一表面平整。进而减小半导体结构的应力，提升半导体结构的稳定性和可靠性。