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公开(公告)号：CN111312587B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201811519338.2
申请日：2018-12-12
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明提供了一种刻蚀方法、半导体器件及其制造方法，所述刻蚀方法包括：步骤S1，提供一具有开口的衬底；步骤S2，沉积掩膜材料于所述开口的侧壁和底壁上；步骤S3，去除所述开口底壁上的所述掩膜材料，以暴露出所述开口底部的所述衬底的表面；步骤S4，以所述开口侧壁上的掩膜材料为掩膜，沿所述开口向下刻蚀所述开口底部的所述衬底，以增大所述开口的深度；步骤S5，循环执行步骤S2至S4，直至所述开口的深度达到预设要求。本发明的技术方案使得具有很小的开口宽度的结构中能够刻蚀形成很深的开口，且使得所述开口侧壁的形貌保持不变。
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公开(公告)号：CN109037147A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810843862.9
申请日：2018-07-27
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76814
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属互联层中接触孔的制备方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底上形成有堆叠的金属层和介电层；步骤S2，在介电层的上表面制备形成带有刻蚀图案的光阻层；步骤S3，采用一刻蚀工艺刻蚀刻蚀图案暴露出的介电层，形成底部连接金属层的凹槽；步骤S4，去除光阻层；步骤S5，对凹槽底部的金属层暴露出的表面进行负电性处理，负电性处理用于使凹槽底部的金属层暴露出的表面带负电；步骤S6，采用一清洗液对介电层的上表面以及凹槽内进行清洗；步骤S7，采用导电材料填充凹槽，形成接触孔；能够避免衍生物在金属层的表面形成残留，从而改善了金属层表面的损伤情况，保证了接触孔的良好导电性能。
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公开(公告)号：CN107123596A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710358532.6
申请日：2017-05-19
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/31116 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供一种干法刻蚀方法，包括：提供一干法刻蚀腔体；提供一半导体基底，半导体基底由下至上依次包括器件层、铜互联层、介电层以及图案化的掩膜层；主刻蚀的步骤，以图案化的掩膜层进行干法刻蚀，以去除部分介电层；过刻蚀的步骤，继续以图案化的掩膜层，配合碳氟聚合物和过量的氧气进行干法刻蚀，以暴露铜互联层；去除掩膜层。本发明的有益效果：将原有的通过一次性干法刻蚀暴露铜互联层替换为通过两次干法刻蚀暴露铜互联层，由于在过刻蚀步骤中添加了相对于主刻蚀步骤中更多的过量的氧气，而氧气能够抑制碳氟聚合物与铜进行反应，从而避免碳氟聚合物与晶元的铜发生反应导致凹坑缺陷。
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公开(公告)号：CN109166820B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201810989689.3
申请日：2018-08-28
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本发明提供一种半导体器件制作方法以及半导体器件，先执行光刻及刻蚀工艺形成贯穿第一衬底、第一介质层和部分厚度的第二介质层的第一开孔，再执行光刻及刻蚀工艺形成贯穿所述第一衬底和部分厚度的第一介质层的第二开孔，随后执行无掩膜刻蚀工艺，以暴露所述第一开孔下方的第二金属层和第二开孔下方的部分所述第一金属层，最后形成互连层，实现两晶圆间的金属互连。本发明只需采用两道光罩即可形成第一开孔和第二开孔，并实现第一金属层和第二金属层的互连，简化了工艺，并降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN105931959B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201610387777.7
申请日：2016-06-02
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种绝缘介质层刻蚀方法及金属层导通连接方法，利用气相沉积法中沉积物在不同介质上表面沉积速率不同原理，合理选用用于气相沉积的反应气体，使之满足在金属层上表面的沉积速率大于绝缘介质层上表面的沉积速率，使晶元上表面生成的阻挡层在金属介质层上表面的厚度大于绝缘介质层上表面的厚度，从而在对晶元上表面的绝缘介质层进行等离子体刻蚀中，能够利用金属介质层上表面与绝缘介质层上表面阻挡层的厚度差，有效保护晶元上表面的金属层免受刻蚀，避免金属飞溅导致等离子体刻蚀反应腔受金属污染，提高等离子体刻蚀反应腔的稳定性，且整个流程均可在等离子体刻蚀反应腔中进行，无需光罩，简化了工艺流程，降低了工艺成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107731745A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710972644.0
申请日：2017-10-18
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种花瓶状接触孔的制备方法，包括：步骤S1，提供一复合薄膜，复合薄膜包括一金属层以及覆盖于金属层上的待刻蚀层，待刻蚀层包括依次层叠的第一氮化层、第一氧化层、第二氮化层以及第二氧化层；步骤S2，采用氧化物对氮化物为高刻蚀比的刻蚀体刻蚀待刻蚀层，形成延伸至金属层的上表面的至少一个花瓶状通孔；步骤S3，对花瓶状通孔进行自校准；步骤S4，采用一第一物理气相沉积工艺于花瓶状通孔的侧壁覆盖一第一保护层；步骤S5，采用一第二物理气相沉积工艺于花瓶状通孔的底部覆盖一第二保护层；步骤S6，填充花瓶状通孔形成花瓶状接触孔；与底部的金属层的接触性能好，导电性能好。
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公开(公告)号：CN107403787A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710653163.3
申请日：2017-08-02
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明提供了一种形成金属隔离栅的方法，包括在基底上依次形成金属层和阻挡层，先刻蚀所述阻挡层和部分所述金属层，能够快速的形成一开口，再刻蚀所述开口内剩余金属层，会一边对所述开口内的金属层进行刻蚀，形成沟槽，一边在所述沟槽的侧壁上形成聚合物，所述聚合物覆盖所述沟槽的侧壁，以保护所述沟槽的侧壁不被进一步刻蚀，刻蚀完成后，所述沟槽的侧壁具有垂直的轮廓，便于填充，避免了后续对所述沟槽进行填充时产生填充空洞，提高的器件的性能和良率。
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公开(公告)号：CN106876322A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710038632.0
申请日：2017-01-19
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/311 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/762 , H01L21/311 , H01L29/06
Abstract: 本发明特别涉及一种硅的深沟槽形成方法和半导体结构。方法包括：在半导体硅晶片上沉积硬质掩膜层；对所述硬质掩膜层的预设区域进行刻蚀直到露出所述半导体硅晶片，在所述硬质掩膜层中形成至少一个纵切面为倒梯形的图形；以所述硬质掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体硅晶片,在所述半导体硅晶片中与所述纵切面为倒梯形的图形对应位置形成深沟槽；去除所述硬质掩膜层，直至露出半导体硅晶片的上表面。本发明通过半导体硅晶片上形成倒梯形图形的硬质掩膜层作为掩膜，刻蚀半导体硅晶片可以在半导体硅晶片上得到更小和更深的沟槽。
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公开(公告)号：CN107731745B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710972644.0
申请日：2017-10-18
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种花瓶状接触孔的制备方法，包括：步骤S1，提供一复合薄膜，复合薄膜包括一金属层以及覆盖于金属层上的待刻蚀层，待刻蚀层包括依次层叠的第一氮化层、第一氧化层、第二氮化层以及第二氧化层；步骤S2，采用氧化物对氮化物为高刻蚀比的刻蚀体刻蚀待刻蚀层，形成延伸至金属层的上表面的至少一个花瓶状通孔；步骤S3，对花瓶状通孔进行自校准；步骤S4，采用一第一物理气相沉积工艺于花瓶状通孔的侧壁覆盖一第一保护层；步骤S5，采用一第二物理气相沉积工艺于花瓶状通孔的底部覆盖一第二保护层；步骤S6，填充花瓶状通孔形成花瓶状接触孔；与底部的金属层的接触性能好，导电性能好。
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公开(公告)号：CN107403787B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201710653163.3
申请日：2017-08-02
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L23/552
Abstract: 本发明提供了一种形成金属隔离栅的方法，包括在基底上依次形成金属层和阻挡层，先刻蚀所述阻挡层和部分所述金属层，能够快速的形成一开口，再刻蚀所述开口内剩余金属层，会一边对所述开口内的金属层进行刻蚀，形成沟槽，一边在所述沟槽的侧壁上形成聚合物，所述聚合物覆盖所述沟槽的侧壁，以保护所述沟槽的侧壁不被进一步刻蚀，刻蚀完成后，所述沟槽的侧壁具有垂直的轮廓，便于填充，避免了后续对所述沟槽进行填充时产生填充空洞，提高的器件的性能和良率。
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