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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118430667A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410511488.8
申请日：2024-04-26
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及功能材料分析的技术领域，具体涉及一种周期性疏水结构表面润湿特性的研究方法，制备原始疏水结构及没有结构的基材平面；测量湿润介质在原始疏水结构和基材平面的静态接触角；根据原始疏水结构和基材平面建立湿润介质在原始疏水结构和基材平面表面润湿的分子动力学仿真模型；通过调节仿真模型的参数，得到与测量相近或一致的静态接触角，获得有效的仿真模型；改变原始疏水结构的周期，建立不同周期性疏水结构表面的分子动力学仿真模型；利用该模型获得湿润介质在不同周期的疏水结构表面的润湿特性。本发明可以获得有效的周期性疏水结构仿真模型；避免了大量制造周期性疏水结构样品，节约时间和成本；可以动态观察疏水结构的润湿行为。
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公开(公告)号：CN118604929A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410764811.2
申请日：2024-06-14
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种微透镜阵列扩散片结构及其制备方法，扩散片表面为100％填充率的凸透镜微透镜阵列，微透镜阵列子透镜轮廓形状统一、各子透镜顶点间相对高度在一定范围内随机分布，最小结构单元边界呈周期性。该扩散片的设计方法包括微透镜阵列基本单元设计，微透镜阵列高度随机分布处理，利用设计自由、易于加工的3D光刻设备制备微透镜阵列扩散片模板，以及可选的利用纳米压印技术将扩散片结构转印到其他压印材料上。该结构可使透射过其的激光光束在一定角度内传播，并利用其高度随机分布的特点消除干涉条纹，提高光斑能量分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN117471849A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311530514.3
申请日：2023-11-14
Applicant: 武汉大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种无损伤纳米压印转印方法及其应用，属于微纳加工技术领域。本方法包括如下步骤：(1)以正性光刻胶为模板材料，制作纳米压印模板图案；(2)所述纳米压印模板图案的空隙由不溶解于碱性溶液的转印材料完成填充，得到填充胶板；(3)所述填充胶板中的转印材料进行成型，利用紫外光对模板材料进行辐照，得到碱溶性胶板；(4)所述碱溶性胶板浸于碱性溶液，使模板材料完全溶解，得到转印结构图案，完成纳米压印转印。本发明采用溶解法脱模转印，避免了图样与模板间的转印缺陷，实现了无应力、无损伤的纳米压印转印，用于微纳加工领域，可实现高精度、无损的转印流程，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN118888513A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410959912.5
申请日：2024-07-17
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本申请涉及半导体封装技术领域，具体公开了一种降低铜基硅通孔热应力的填充方法，其包括S1：制作掩膜层和在基底材料表面制作出孔；S2：在孔内依次沉积绝缘层和阻挡层；S3：在阻挡层上溅射负膨胀系数材料作为缓冲层；S4：在缓冲层上沉积铜种子层，再通过电镀法制备铜填充层将孔填充；S5：抛光去除基底材料表面多余的金属。本申请利用负热膨胀系数材料的热缩冷胀物理特性作为缓冲，抵消硅和铜的热胀冷缩，从而降低铜和周围硅结构的热应力。
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公开(公告)号：CN117594527A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311580089.9
申请日：2023-11-23
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种利用激光辐照金属纳米颗粒进行通孔填充的方法，包括：利用光刻工艺和刻蚀工艺在基板表面刻蚀出通孔；在通孔内先后形成绝缘层和阻挡层；在保护气氛围下，在基板上表面和通孔内填充金属纳米颗粒，利用飞秒激光辐照金属纳米颗粒时的热压效应，使金属纳米颗粒相互团聚熔合互连，从而实现通孔的填充；再利用化学机械抛光去除多余的金属。该方法是一种干法金属化的方法，通过该方法可以不用制作电镀法所需的种子层，并且实现快速填充。
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