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公开(公告)号：CN119571404A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411640922.9
申请日：2024-11-18
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了一种金属及金属复合材料微结构的微米级限域性电沉积制造装置及方法，涉及材料成型技术领域，包括机架，机架上设置有喷嘴、镀液槽和用于调节喷嘴和镀液槽相对位置的精密电控移动平台模块，喷嘴和镀液槽内均盛放有电解液，喷嘴内固定有阳极，镀液槽内固定有阴极板，机架上固定有脉冲电源，脉冲电源的正极与阳极电连接、负极与阴极板电连接，机架上设置有用于控制喷嘴口处液流速度的液流控制模块。本申请通过使用电沉积的方法，控制喷嘴口处液流速度，使得液流近乎静止，降低了喷嘴口处于阴极板间离子浓度变化幅度，高精度制作含有孪晶结构的金属或金属复合物微结构。
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公开(公告)号：CN119627405A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411641993.0
申请日：2024-11-18
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了一种纳米孪晶铜‑石墨烯复合材料贴片天线及其制备方法，涉及微机电器件领域，其包括纳米孪晶铜‑石墨烯复合材料天线、电介质基片和覆盖所述纳米孪晶铜‑石墨烯复合材料天线的保护层，所述纳米孪晶铜‑石墨烯复合材料天线包括铜和石墨烯，所述纳米孪晶铜‑石墨烯复合材料天线的组织结构包括孪晶结构。本申请通过石墨烯掺杂纳米孪晶铜的纳米孪晶铜‑石墨烯复合材料天线，提高了纳米孪晶铜‑石墨烯复合材料贴片天线在不同温度下的频段响应性和稳定性。
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公开(公告)号：CN119627404A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411640920.X
申请日：2024-11-18
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本申请公开了一种纳米孪晶铜贴片天线及其制备方法，涉及微机电器件领域，包括纳米孪晶铜天线、电介质基片和覆盖所述纳米孪晶铜天线的保护层，所述纳米孪晶铜天线的厚度为0.1‑200μm，所述纳米孪晶铜天线的组织结构包括纳米孪晶结构。本申请通过制备出含有纳米孪晶结构的组织结构的纳米孪晶铜天线，提高了纳米孪晶铜贴片天线的电导率、射频性能和机械性能。
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