公开(公告)号：CN117638634A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311564077.7

申请日：2023-11-20

Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 ,  湖北光谷实验室

Inventor： 程宗鸿 ,  李亮 ,  向上 ,  熊永华 ,  李海涛 ,  马卫东

IPC: H01S5/042

Abstract: 本发明公开一种降低激光器芯片电容的制备方法及结构，方法包括：在芯片的钝化层上的P面键合区形成钝化的Pad层，所述Pad层为与金层低粘附力的介质层；在芯片上制作P面电极，所述P面电极的一部分位于所述Pad层上；基于经过钝化的Pad层与金层的低粘附力，在金丝与P面电极键合时，使金丝将P面电极位于所述Pad层上的部分拉起，且金丝与P面电极保持连接。本发明通过在P面电极键合区填充一层与金层低粘附力的介质层，通过键合工艺金丝键合时，将P电极层拉起来，相当于大大减小了P面电极金属面积，从而大大的降低了芯片电极电容。

公开(公告)号：CN117154532A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202210507202.X

申请日：2022-05-11

Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司

Inventor： 程宗鸿 ,  李亮 ,  熊永华 ,  曾笔鉴 ,  向上 ,  马卫东

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/042 ,  H01S5/02 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明提供了的一种半导体激光器芯片与制备方法，通过将腔面附近保留复合膜作为保护膜，防止金层在解理时直接拉扯InP材料，避免了金层拉扯碎屑吸附在腔面的问题；在制作P面电极金层制作的过程中，分成两次电极制作，第一层制作的金层电极致密且较薄，且在脊台靠近两端部分只有少量保留，保证了再基本解理时不会造成拉扯，第二层制作的金层电极较厚，并且不覆盖脊台靠近两端部分，保证了芯片散热；同时对双沟区域进行了BCB平坦化，避免在解理过程中出现解理纹路；在腔面则采用离子辅助镀膜技术镀上氮化铝钝化层，防止了水汽从光学膜慢慢渗透进入有源层，有效的提高了激光器可靠性。

公开(公告)号：CN117239545A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202210635184.3

申请日：2022-06-06

Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司

Inventor： 程宗鸿 ,  李亮 ,  向上 ,  熊永华 ,  马卫东

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343

Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体芯片及其制备方法，其中，所述半导体芯片包括：衬底，以及位于所述衬底上的器件结构层；所述器件结构层至少包括有源层和无源波导层；沿平行于所述衬底平面的方向，所述无源波导层位于所述有源层的两端；其中，所述有源层的材料包括铝，所述无源波导层的材料不包括铝。

公开(公告)号：CN112342514A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011118090.6

申请日：2020-10-19

Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 ,  武汉电信器件有限公司

Inventor： 程宗鸿 ,  李亮 ,  向上 ,  熊永华

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/10 ,  C23C14/18 ,  C23C14/08 ,  H01S5/028 ,  H01S5/10

Abstract: 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种半导体激光器腔面镀膜方法及半导体激光器，方法包括：将外延片解理成bar条，采用陪条相间夹条技术上夹具，并将夹具送至磁控溅射镀膜炉中抽真空；开启N2源，通过第一射频功率溅射N2产生氮等离子体轰击半导体激光器腔面；开启Ar源，通过第二射频功率预溅射Ar产生氩等离子体轰击铝靶材表面；开启Ar源和N2源的混合气体，通过第三射频功率溅射铝靶材，采用离子辅助镀膜技术在腔面沉积一层致密的氮化铝薄膜作为钝化膜。本发明解决了激光器制作时易被氧化和吸附杂质的问题，降低表面态密度，提高抗光学灾变水平，同时避免了含氧光学薄膜中氧原子与腔面原子发生相互扩散的问题。

公开(公告)号：CN117154533A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202210507216.1

申请日：2022-05-11

Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司

Inventor： 程宗鸿 ,  李亮 ,  向上 ,  吴倩

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/042

Abstract: 本发明提供了的一种InP基半导体激光器芯片与制备方法，在制作P面电极的过程中，采用非常致密的金层作为电极，避免了传统方式激光器解理时，导致金层相连不易解理的问题，更防止水汽从芯片正面腐蚀有源层，通过将脊台两端附近的P面电极退后一部分区域，再采用致密的保护层覆盖，与P面电极下的复合膜相呼应，对芯片正面双重保护，使得水汽无法侵入芯片有源层；而腔面则采用ECR离子辅助镀膜技术镀上氧化铝钝化层，氧化铝的不仅膨胀系数和InP材料相近，而且膜质量更加致密，所以腔面不会因为芯片受热，而导致不同层材料之间产生缝隙，也防止了水汽从光学膜慢慢渗透进入有源层。

公开(公告)号：CN116960733A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310675056.6

申请日：2023-06-07

Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司

Inventor： 程宗鸿 ,  李亮 ,  向上 ,  熊永华 ,  李海涛 ,  马卫东

IPC: H01S5/12

Abstract: 本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，半导体器件包括：基底，用于产生光波；光栅层，位于基底上，光栅层包括沿平行于基底所在平面的方向并列设置的第一光栅和第二光栅；其中，第一光栅具有第一周期，第二光栅具有第二周期，第一周期不同于第二周期，且第一周期和第二周期中的至少一个位于目标周期范围内；第一光栅和第二光栅中周期位于目标周期范围内的光栅用于从所述光波中分离出具有目标波长的光波。