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公开(公告)号：CN114243445B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202111507704.4
申请日：2021-12-10
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/02212 , H01S5/0239
摘要： 本发明涉及光纤传感技术领域，提供了一种超辐射发光二极管及其实现方法。其中所述超辐射发光二极管芯片3和热敏电阻4焊接在过渡热沉5上，过渡热沉5焊接在热沉7上；所述第一反射镜61和第二反射镜62分别胶粘在热沉7上，并分别位于所述超辐射发光二极管芯片3的正向出光面侧和背向出光面侧；所述热沉7焊接在半导体制冷器2上，所述超辐射发光二极管芯片3、热敏电阻4和半导体制冷器2分别与TO管座1底部对应的引脚电连接，实现超辐射发光二极管芯片3温控输出。本发明充分发挥了超辐射发光二极管芯片的功率特性，提升了整体的功耗特性。
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公开(公告)号：CN117673895A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211007201.5
申请日：2022-08-22
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种提升激光器光栅形貌一致性的制备方法及其外延片。其方法部分主要包括：在初始外延片结构材料表面生长一层SiO2膜层，并在SiO2膜层上涂光刻胶；对部分区域光刻胶采用电子束曝光，使光栅图案转移到光刻胶上；将曝光区域光刻胶对应的SiO2膜层刻蚀干净，光栅图案从光刻胶上转移至SiO2膜层上，此时未被刻蚀的SiO2膜层作为其下方的半导体材料的掩蔽层；配置含溴腐蚀液和含硫腐蚀液，通过含溴腐蚀液腐蚀无SiO2膜层掩蔽的二元InP材料，通过含硫腐蚀液腐蚀无SiO2膜层掩蔽的四元InGaAsP材料；清洗初始外延片后，对初始外延片进行二次外延。本发明采用膜掩蔽及分段腐蚀工艺确保光栅形貌一致，且避免腐蚀停止层被腐穿从而破坏量子阱现象的发生。
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公开(公告)号：CN116203682A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111448037.7
申请日：2021-11-30
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/42
摘要： 本发明涉及光纤传感技术领域，提供了一种小型化光收发器件及其制作方法。光源组件用于发出出射信号光进入平面光波导，并经由所述平面光波导将出射信号光发出；平面光波导，用于将进入器件的入射信号光传递给双PD差分组件；双PD差分组件，用于探测入射信号光和空间串扰光，并将分别产生的探测电流和串扰电流进行差分处理。本发明极大地减小了光收发器件的尺寸以及装配的复杂性，减小了光收发器件的制作难度及成本，还可以减少光纤熔接带来的插入损耗。
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公开(公告)号：CN108933382B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201810644976.0
申请日：2018-06-21
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种光栅、DBR激光器及光栅制备方法。所述光栅包括依次外延的第一层、第二层和第三层；其中，所述第二层为凹槽状的周期结构，所述第三层填充所述第二层凹槽并向外延展，所述第二层的材料与所述第三层的材料的折射率不相同；所述光栅的一个光栅周期的范围为200～280nm，占空比为1:1；所述凹槽深度为光栅深度，所述光栅深度范围为300～420nm。本发明实施例在刻蚀光栅区域时，通过调整RIE设备刻蚀气体流量、腔体压力、射频功率等参数，克服了刻蚀过程中的Lag效应，刻蚀出深宽比达到3:1的光栅图形，获得预设深宽比光栅，光栅的深宽比高，光栅耦合系数大，可替代均匀光栅结构最小光栅区长度的取样光栅，节省EBL制作成本，缩短制作周期。
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公开(公告)号：CN109066291A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811002764.9
申请日：2018-08-30
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34313 , H01S5/343
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种半导体芯片及其制作方法，该半导体芯片包括：衬底、依次层叠设置在衬底上的隔离层以及功能层；隔离层包括下悬浮层以及牺牲层，下悬浮层设置在衬底上，牺牲层设置在下悬浮层上；隔离层还包括悬浮区域，下悬浮层以及牺牲层沿悬浮区域的周向设置；其中，悬浮区域的深度大于牺牲层的厚度。本发明的半导体芯片的功能层通过悬浮区域悬浮在衬底上，由于悬浮区域的深度大于牺牲层的厚度使得功能层与衬底之间的空气间隔较大，具有较好的隔热性，有效减少了热量通过衬底耗散的情况的发生，从而将大部分热量传导至热调谐电极，提高了芯片的热调谐效率。
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公开(公告)号：CN114256734A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111516633.4
申请日：2021-12-13
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/02212 , H01S5/0239
摘要： 本发明涉及光纤传感技术领域，提供了一种同轴封装超辐射发光二极管及其实现方法。所述超辐射发光二极管芯片3和热敏电阻4焊接在过渡热沉5上，过渡热沉5焊接在热沉7上；反射镜6胶粘在热沉7上，并和超辐射发光二极管芯片3匹配对准；所述热沉7焊接在半导体制冷器2上，所述超辐射发光二极管芯片3、热敏电阻4和半导体制冷器2分别与TO管座1底部对应的引脚电连接，实现超辐射发光二极管芯片3温控输出。本发明具有结构紧凑，功耗低、易于集成为光收发一体模块的优点。
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公开(公告)号：CN108933382A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810644976.0
申请日：2018-06-21
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种光栅、DBR激光器及光栅制备方法。所述光栅包括依次外延的第一层、第二层和第三层；其中，所述第二层为凹槽状的周期结构，所述第三层填充所述第二层凹槽并向外延展，所述第二层的材料与所述第三层的材料的折射率不相同；所述光栅的一个光栅周期的范围为200～280nm，占空比为1:1；所述凹槽深度为光栅深度，所述光栅深度范围为300～420nm。本发明实施例在刻蚀光栅区域时，通过调整RIE设备刻蚀气体流量、腔体压力、射频功率等参数，克服了刻蚀过程中的Lag效应，刻蚀出深宽比达到3:1的光栅图形，获得预设深宽比光栅，光栅的深宽比高，光栅耦合系数大，可替代均匀光栅结构最小光栅区长度的取样光栅，节省EBL制作成本，缩短制作周期。
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公开(公告)号：CN113394208B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202110571822.5
申请日：2021-05-25
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/06 , H01L23/15 , H01L23/552 , H01L23/367 , H01L31/107
摘要： 本申请实施例公开了一种光电探测器，包括具有容纳腔的管壳、载体、芯片、至少一个电子元件、引脚以及布置在所述载体上的电路布线；所述芯片与所述电子元件布置在所述载体上，所述芯片与所述电子元件通过所述电路布线电连接；所述电子元件、所述载体以及所述芯片封装在所述容纳腔中；所述引脚设置在所述管壳上，所述引脚与所述电子元件电连接。本申请实施例的一种光电探测器，具有良好的高频性能。
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公开(公告)号：CN113394208A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110571822.5
申请日：2021-05-25
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/06 , H01L23/15 , H01L23/552 , H01L23/367 , H01L31/107
摘要： 本申请实施例公开了一种光电探测器，包括具有容纳腔的管壳、载体、芯片、至少一个电子元件、引脚以及布置在所述载体上的电路布线；所述芯片与所述电子元件布置在所述载体上，所述芯片与所述电子元件通过所述电路布线电连接；所述电子元件、所述载体以及所述芯片封装在所述容纳腔中；所述引脚设置在所述管壳上，所述引脚与所述电子元件电连接。本申请实施例的一种光电探测器，具有良好的高频性能。
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公开(公告)号：CN114243445A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111507704.4
申请日：2021-12-10
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/02212 , H01S5/0239
摘要： 本发明涉及光纤传感技术领域，提供了一种超辐射发光二极管及其实现方法。其中所述超辐射发光二极管芯片3和热敏电阻4焊接在过渡热沉5上，过渡热沉5焊接在热沉7上；所述第一反射镜61和第二反射镜62分别胶粘在热沉7上，并分别位于所述超辐射发光二极管芯片3的正向出光面侧和背向出光面侧；所述热沉7焊接在半导体制冷器2上，所述超辐射发光二极管芯片3、热敏电阻4和半导体制冷器2分别与TO管座1底部对应的引脚电连接，实现超辐射发光二极管芯片3温控输出。本发明充分发挥了超辐射发光二极管芯片的功率特性，提升了整体的功耗特性。
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