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公开(公告)号：CN114200695A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111553694.8
申请日：2021-12-17
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及光纤传感和波导制备技术领域，提供了一种高偏振消光比铌酸锂波导器件及其制作方法。采用质子交换制备的铌酸锂波导由于提高TE传导模(或TM传导模)折射率、降低TM漏模(或TE漏模)折射率，因此天然具备单偏振传输特性，但是由于漏模在下表面或侧面反射，重新耦合进入波导区或输出光纤3，限制了其消光比在50dB左右。利用石墨的高吸收特性以及石墨与铌酸锂晶体相近的折射率，本发明采用石墨导电胶5涂覆于芯片下表面和侧面，大幅度降低漏模反射率，降低TM漏模(或TE漏模)耦合进入输出光纤3，具有提高铌酸锂波导的TE/TM偏振消光比的优点。
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公开(公告)号：CN110244409B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201910424857.9
申请日：2019-05-21
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/36
摘要： 本发明属于光通信技术领域，公开了一种光纤阵列随行制作夹具及其使用方法，将胶水涂抹在光纤阵列粘接面上，将光纤阵列条放置于光纤阵列粘接面上进行粘接固定，溢出的胶水流至储胶槽内；初步调节光纤的水平角度，使光纤与光纤辅助固定面上的排纤槽平行；降低光纤的高度，通过排纤槽对光纤进行限位；继续调节光纤的水平角度，使光纤与光纤阵列条上的V槽平行，并将光纤移至V槽中；将胶水点在V槽中，对光纤进行固定，最终形成光纤阵列。本发明解决了现有技术中光纤阵列制作工艺繁琐，制作效率较低的问题，能够简化光纤阵列制作工艺，提高制作效率。
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公开(公告)号：CN106444093B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201611055777.3
申请日：2016-11-25
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02F1/01
CPC分类号： G02F1/0102 , G02F1/0147
摘要： 本发明公开了一种用于光波导降低应力的加热电极及其VOA，所述加热电极设置于PLC波导的上包层上，该加热电极采用两个或者两个以上相互间隔的子加热电极组合而成，相邻的子加热电极之间采用导电功能的电极相连；本发明将完整的长条形加热电极分成若干段子加热电极，在不影响加热效率的情况下，降低了对波导芯层施加的应力影响，从而有效的提高了器件光学指标的可靠性。
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公开(公告)号：CN107490824A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710909512.3
申请日：2017-09-29
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
CPC分类号： G02B6/126 , G02B6/13 , G02B6/1345
摘要： 本发明涉及一种波导及其制作方法，属于光器件领域，具体涉及一种高偏振消光比铌酸锂波导及其制作方法。本发明在铌酸锂光波导芯片进行质子交换前对其下表面进行涂覆保护，使得铌酸锂基片下表面无质子交换发生，这样便可以辅助开槽、制作光栅以及涂覆吸光层等方法，降低TM漏模(或TE漏模)耦合进入输出光纤，提高铌酸锂波导的TE/TM偏振消光比。
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公开(公告)号：CN103001120A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210541783.5
申请日：2012-12-14
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了阵列波导光栅芯片与半导体光放大器芯片倒装集成的方法，包括如下步骤：设计制作出适于集成的阵列波导光栅芯片；在阵列波导光栅芯片上制作出定位区域；在阵列波导光栅芯片上的定位区域制作出对准标记；在阵列波导光栅芯片上的定位区域制作出电极；将半导体放大器芯片的对准标记同定位区域的对准标记对准后，将半导体放大器芯片倒装焊在阵列波导光栅芯片的定位区域上；采用本发明提供的方法可以使SOA芯片集成在AWG芯片的衬底上，提高了器件的可靠性，同时简化了集成工艺，提高了集成效率。
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公开(公告)号：CN102354028A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110353298.0
申请日：2011-11-10
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种无热阵列波导光栅波分复用器及其制造方法，该无热阵列波导光栅波分复用器，包括有温度补偿杆、基片、阵列波导光栅芯片，所述温度补偿杆上间隔设置有两个粘接区，第一粘接区上固定有第一基片，第二粘接区上固定有第二基片，固定后的第一基片和第二基片的相近边缘之间存有间隙；所述的阵列波导光栅芯片由分割而成且具有相同分割切断面的第一芯片和第二芯片所构成，第一芯片包含有输入波导和部分输入平板波导，第二芯片包含有阵列波导光栅芯片的其它部分；第一芯片对应地固定在第一基片上，第二芯片对应地固定在第二基片上；第二芯片上的输入平板波导的上表面和第二基片的上表面或者第二芯片上的输出平板波导上表面设置有固定片。本发明采用的温度补偿装置不易发生弹性形变，不易受外力作用导致AWG指标发生变化。
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公开(公告)号：CN101840030A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200910245099.0
申请日：2009-12-25
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/34
摘要： 一种基于曲线形阵列波导光栅的无热AWG制作方法，步骤如下：采用至少一个输入波导、输入平板波导、阵列波导、输出平板波导和N个输出波导组成曲线形AWG芯片；将曲线形AWG芯片粘贴并固化在夹层上；进行与曲线形AWG芯片的输入波导和输出波导的耦合调试并固化；分割第一AWG芯片和第二AWG芯片两部分；将第二AWG芯片与基板粘固；使第一AWG芯片与第二AWG芯片沿分割线的方向平行设置；调节曲线形AWG芯片的中心波长为ITUT波长，将补偿杆分别固化在第一AWG芯片和基板上；将制作的无热AWG从夹具上取下制作完成。采用本发明方法制作的温度补偿结构，能够克服芯片形变带来的光学性能变化，提高器件的性能稳定性；结构简单，操作方便，适合工业生产。
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公开(公告)号：CN113447052A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110633918.X
申请日：2021-06-07
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G01D5/353
摘要： 本申请实施例提供了一种光接收组件及光传感设备。所述光接收组件包括：第一光电二极管、第二光电二极管、光信号输入端和放大电路模组；第一光电二极管，与所述光信号输入端连接，用于输出第一光电流；所述第一光电流包括：第一暗电流和基于光线产生的光电流；所述光线包括：所述光信号输入端输入的光信号和所述第一光电二极管所在环境的环境光；第二光电二极管，与所述第一光电二极管连接，用于输出第二光电流；所述第二光电流包括：第二暗电流和基于所述第二光电二极管所在环境的环境光产生的光电流；放大电路模组，分别与所述第一光电二极管的负极和所述第二光电二极管的正极连接，用于放大所述第一光电流和所述第二光电流之间的差值电流。
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公开(公告)号：CN110244409A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910424857.9
申请日：2019-05-21
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/36
摘要： 本发明属于光通信技术领域，公开了一种光纤阵列随行制作夹具及其使用方法，将胶水涂抹在光纤阵列粘接面上，将光纤阵列条放置于光纤阵列粘接面上进行粘接固定，溢出的胶水流至储胶槽内；初步调节光纤的水平角度，使光纤与光纤辅助固定面上的排纤槽平行；降低光纤的高度，通过排纤槽对光纤进行限位；继续调节光纤的水平角度，使光纤与光纤阵列条上的V槽平行，并将光纤移至V槽中；将胶水点在V槽中，对光纤进行固定，最终形成光纤阵列。本发明解决了现有技术中光纤阵列制作工艺繁琐，制作效率较低的问题，能够简化光纤阵列制作工艺，提高制作效率。
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公开(公告)号：CN103926663B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410170037.9
申请日：2014-04-25
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/43
摘要： 本发明涉及一种多波长光源及其低成本制作方法，其制作方法包括以下步骤：在阵列波导光栅（1）输入端下方粘接一个设置有凹槽的玻璃垫块（6），抛光处理使玻璃垫块（6）与阵列波导光栅（1）输入端持平；阵列波导光栅（1）的和半导体光增益芯片（2）的输入与输出端面镀光学薄膜；阵列波导光栅输出端面耦合单芯光纤阵列（7），单芯光纤阵列（7）接光隔离器（8）；将半导体光增益芯片（2）焊接到热沉垫块（3）定位区域内；将半导体光增益芯片（2）与阵列波导光栅（1）耦合；将耦合在一起的半导体光增益芯片（2）与阵列波导光栅（1）粘接到铜基底（4）上，将铜基底粘接到半导体制冷器（5）上，本发明方法制作的光源装置具有结构稳定简单，成本低廉，输出多波长可同时调谐，热学性能良好。
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