公开(公告)号：CN103926663A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410170037.9

申请日：2014-04-25

申请人： 武汉光迅科技股份有限公司

发明人： 陈昊 ,  马卫东 ,  丁丽 ,  朱虎 ,  王宁

IPC分类号： G02B6/43

摘要： 本发明涉及一种多波长光源及其低成本制作方法，其制作方法包括以下步骤：在阵列波导光栅（1）输入端下方粘接一个设置有凹槽的玻璃垫块（6），抛光处理使玻璃垫块（6）与阵列波导光栅（1）输入端持平；阵列波导光栅（1）的和半导体光增益芯片（2）的输入与输出端面镀光学薄膜；阵列波导光栅输出端面耦合单芯光纤阵列（7），单芯光纤阵列（7）接光隔离器（8）；将半导体光增益芯片（2）焊接到热沉垫块（3）定位区域内；将半导体光增益芯片（2）与阵列波导光栅（1）耦合；将耦合在一起的半导体光增益芯片（2）与阵列波导光栅（1）粘接到铜基底（4）上，将铜基底粘接到半导体制冷器（5）上，本发明方法制作的光源装置具有结构稳定简单，成本低廉，输出多波长可同时调谐，热学性能良好。

公开(公告)号：CN103001120A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210541783.5

申请日：2012-12-14

申请人： 武汉光迅科技股份有限公司

发明人： 马卫东 ,  丁丽 ,  李迪 ,  赵建宜 ,  朱虎 ,  陈昊 ,  王宁

IPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/12 ,  G02B6/13

摘要： 本发明公开了阵列波导光栅芯片与半导体光放大器芯片倒装集成的方法，包括如下步骤：设计制作出适于集成的阵列波导光栅芯片；在阵列波导光栅芯片上制作出定位区域；在阵列波导光栅芯片上的定位区域制作出对准标记；在阵列波导光栅芯片上的定位区域制作出电极；将半导体放大器芯片的对准标记同定位区域的对准标记对准后，将半导体放大器芯片倒装焊在阵列波导光栅芯片的定位区域上；采用本发明提供的方法可以使SOA芯片集成在AWG芯片的衬底上，提高了器件的可靠性，同时简化了集成工艺，提高了集成效率。

公开(公告)号：CN103926663B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410170037.9

申请日：2014-04-25

申请人： 武汉光迅科技股份有限公司

发明人： 陈昊 ,  马卫东 ,  丁丽 ,  朱虎 ,  王宁

IPC分类号： G02B6/43

摘要： 本发明涉及一种多波长光源及其低成本制作方法，其制作方法包括以下步骤：在阵列波导光栅（1）输入端下方粘接一个设置有凹槽的玻璃垫块（6），抛光处理使玻璃垫块（6）与阵列波导光栅（1）输入端持平；阵列波导光栅（1）的和半导体光增益芯片（2）的输入与输出端面镀光学薄膜；阵列波导光栅输出端面耦合单芯光纤阵列（7），单芯光纤阵列（7）接光隔离器（8）；将半导体光增益芯片（2）焊接到热沉垫块（3）定位区域内；将半导体光增益芯片（2）与阵列波导光栅（1）耦合；将耦合在一起的半导体光增益芯片（2）与阵列波导光栅（1）粘接到铜基底（4）上，将铜基底粘接到半导体制冷器（5）上，本发明方法制作的光源装置具有结构稳定简单，成本低廉，输出多波长可同时调谐，热学性能良好。