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公开(公告)号：CN113113302B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110265900.9
申请日：2021-03-11
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67 , H01J37/305 , H01J37/32
摘要： 本公开实施例公开了一种刻蚀方法和刻蚀设备，所述刻蚀方法包括：沿遮罩层中的第一开口和第二开口，采用第一刻蚀气体对介质层同时进行第一刻蚀，形成具有第一深度的第一凹槽和具有第二深度的第二凹槽；其中，所述第一开口的开口尺寸大于所述第二开口的开口尺寸，所述第一深度大于所述第二深度；采用第二刻蚀气体对所述第一凹槽和所述第二凹槽同时进行第二刻蚀，以将所述第一凹槽的深度从所述第一深度增加为第三深度，并将所述第二凹槽的深度从所述第二深度增加为第四深度；其中，所述第三深度等于所述第四深度，所述第二刻蚀气体对所述第一凹槽的刻蚀速率，小于所述第二刻蚀气体对所述第二凹槽的刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN113113302A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110265900.9
申请日：2021-03-11
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67 , H01J37/305 , H01J37/32
摘要： 本公开实施例公开了一种刻蚀方法和刻蚀设备，所述刻蚀方法包括：沿遮罩层中的第一开口和第二开口，采用第一刻蚀气体对介质层同时进行第一刻蚀，形成具有第一深度的第一凹槽和具有第二深度的第二凹槽；其中，所述第一开口的开口尺寸大于所述第二开口的开口尺寸，所述第一深度大于所述第二深度；采用第二刻蚀气体对所述第一凹槽和所述第二凹槽同时进行第二刻蚀，以将所述第一凹槽的深度从所述第一深度增加为第三深度，并将所述第二凹槽的深度从所述第二深度增加为第四深度；其中，所述第三深度等于所述第四深度，所述第二刻蚀气体对所述第一凹槽的刻蚀速率，小于所述第二刻蚀气体对所述第二凹槽的刻蚀速率。
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公开(公告)号：CN108828713B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201810637390.1
申请日：2018-06-20
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本发明实施例提供一种无热阵列波导光栅模块及宽温补偿方法。所述无热阵列波导光栅模块，包括：AWG芯片，所述AWG芯片的背面设置有金属电极；温度调节控制装置，所述温度调节控制装置与所述金属电极电连接，用于通过所述金属电极的阻值计算所述AWG芯片的工作温度，并在工业温度范围的预设温度范围内将所述AWG芯片的工作温度调节至目标温度或维持在目标温度的预定范围内。本发明实施例针对芯片级AWG组件在工业级温度范围的预设温度范围内进行温度调节控制，功耗更低，响应速度更快，使得波长漂移的控制精度能适应更宽的温度范围，能够满足工业应用需求。
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公开(公告)号：CN107490823B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201710764806.1
申请日：2017-08-30
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本发明涉及一种温度补偿装置及方法，属于光通信技术领域，具体涉及一种实现阵列波导光栅双线性温度补偿装置及方法。本发明由两个驱动器组成，第一驱动器在低于常温25℃至‑40℃(低温区)或高于常温25℃至85℃(高温区)进行线性补偿，第二驱动器用于在另一温度区实现AWG芯片波长/温度的叠加效应非线性补偿。这样可以使分割后芯片光路的两个部分在不同的温度范围内出现不同的相对位移/有效补偿量，在高温区范围内出现过补偿，而在低温区出现欠补偿，从而使AWG芯片的中心波长随温度变化呈现两段平缓的曲线，可以有效降低残余的非线性温度效应。
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公开(公告)号：CN110320595A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910458890.3
申请日：2019-05-29
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本申请公开了一种补偿装置、阵列波导光栅芯片以及补偿方法，包括第一驱动件、第二驱动件以及应力板；应力板包括第二子部以及第一子部，第一子部以及第二子部活动连接，第一子部包括第一受力部以及第二受力部，第一驱动件的两端分别连接第二子部以及第一受力部，第二驱动件作用在第二受力部上；第一驱动件的长度伸缩以使得第一子部和第二子部相对平移和/或转动，从而形成温度补偿；在第一驱动件以及第二驱动件共同作用下，第一受力部以及第二受力部距离和/或夹角变化，构成弹性形变；温度补偿与弹性形变共同叠加形成最终的补偿量。本申请的一种补偿装置、阵列波导光栅芯片以及补偿方法，具有在室外环境下调节精度高的优点。
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公开(公告)号：CN107462950A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710779051.2
申请日：2017-08-31
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
CPC分类号： G02B6/12009 , G02B6/12021 , G05D23/32
摘要： 本发明涉及一种光模块及波长控制方法，属于光通信技术领域，具体涉及一种基于位移进行波长补偿的光模块及封装方法。包括：温度补偿装置，包括若干个独立子区域构成的光路底座和用于连接各光路底座子区域的驱动杆；AWG芯片组件，被切割成若干个子区域，每个子区域设置于一光路底座子区域上；其中，所述光路底座上设置有模块温度控制装置。通过模块温度控制装置控制光模块温度，将实际工作温度范围分成二段或多段，降低能耗，且更加精确的控制光模块波长的补偿量。
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公开(公告)号：CN106154411A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610741788.0
申请日：2016-08-26
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： G02B6/12 , G02B6/12021 , G02B6/12009 , G02B6/12026 , G02B6/12028 , G02B6/1203
摘要： 本发明涉及一种具有温度补偿的无热阵列波导光栅及其制作方法，该无热阵列波导光栅包括底板、阵列波导光栅芯片和温度补偿部件；所述包括第一底板部分和第二底板部分；所述温度补偿部件使得组成底板的第一底板部分和第二底板部分能够在所述底板所处平面内发生平行的相对位移；所述阵列波导光栅芯片被切割为能够相互移动的第一芯片部分和第二芯片部分，所述第一芯片部分和第二芯片部分分别固定在所述第一底板部分和第二底板部分上。从而避免在垂直于底板方向上相对位移，大大降低了损耗变化的风险，且具有插入损耗低、可以实现高斯或平坦型光谱、可以使用常规用于有热AWG封装的AWG芯片的特点。
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公开(公告)号：CN102081192B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201010612213.1
申请日：2010-12-29
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 一种用于阵列波导光栅芯片的切缝方法是：芯片开槽：首先设定AWG芯片有图形的一面为正面，在预备切缝的AWG芯片切缝位置处的背面，用刀片开一个第一凹槽，所述第一凹槽位置为AWG芯片罗兰圆或阵列波导或者输入输出波导处背面，对应于AWG芯片切缝位置；芯片粘接：将开完凹槽的芯片粘接在一块基板上，所述基板材料的热膨胀系数小于芯片的热膨胀系数；芯片切缝：在所述第一凹槽所对应的芯片的正面，采用刀片对芯片表面沿着第一凹槽中间位置的平行方向进行切缝，形成表面细缝。本发明减小了芯片切缝处崩边，并有效降低了芯片的插入损耗，保证切割后缝的内侧壁光滑平整。
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公开(公告)号：CN102087381A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010570616.4
申请日：2010-12-02
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 一种双AWG的无热补偿方法：将相邻的第一、第二AWG图形沿形状曲线一起切割下来，作为一个芯片；沿芯片输入罗兰圆的横向方向采取直线切割的方式将芯片切成第一部分和第二部分两部分；将第一部分可移动的贴在底板上；将第二部分牢固地粘接到底板上；将第一输入罗兰圆和第二输入罗兰圆之间沿形状曲线切开一条缝隙；调第一、第二AWG的中心波长；安装温度补偿杆；将第一、第二AWG的输入部分之间通过一根连接杆相连。本发明能够仅用一个补偿杆同时补偿两个AWG，实现无热封装，且可以分别调节中心波长。其结构简单，易于实现。本发明提供的集成两个无热AWG的方法能够降低总的成本，以及封装尺寸。
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公开(公告)号：CN116148973A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111386975.9
申请日：2021-11-22
申请人： 武汉光迅科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及光通信技术领域，提供了一种改善CWDM AWG光学指标的阵列波导光栅结构；目前用于数通模块的CWDM需要具有较大带宽、较小的外形尺寸和通道损耗，但是基于平坦光谱AWG的设计理论，单模输入/输出条件下的CWDM AWG的带宽、相邻通道串扰和通道插损在AWG设计参数的选取上是相互矛盾的，如何兼顾这几个参数指标，对设计人员是一个挑战，尤其是应用于数据通信模块里的CWDM AWG器件，需要严格满足模块封装的外形和尺寸要求，这样对设计参数的选择又额外增加了约束条件，因此找到一个简单易行的设计方法，在不明显改动CWDM器件外形尺寸的条件下，拓宽CWDM器件的输出波导的宽度，改善AWG的带宽、相邻通道串扰和通道插损等指标。
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