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公开(公告)号：CN113621929B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202010381497.1
申请日：2020-05-08
申请人： 武汉光谷创元电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种微波器件的制造设备和制造方法。微波器件的制造设备(1)包括：夹具(10，10')，所述夹具(10，10')包括能够围绕第一轴线(A1)旋转的基座(11)、以及能够围绕第二轴线(A2)摆动的托架(12)，所述托架(12)连接至所述基座(11)以用于保持绝缘基体(40)，其中所述第一轴线(A1)与所述第二轴线(A2)相交；用于朝所述绝缘基体(40)释放金属离子的源头(20)；以及控制器(30)，所述控制器(30)耦合至所述夹具(10，10')和所述源头(20)，并且构造成控制所述夹具(10，10')的运动模式和/或所述源头(20)的角度，使得所述绝缘基体(40)从多个角度接收所述金属离子，并在所述绝缘基体(40)的所有表面(41)上形成金属层(50)。
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公开(公告)号：CN106298118A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610659515.1
申请日：2016-08-12
申请人： 武汉光谷创元电子有限公司
IPC分类号： H01C7/00 , H01C17/00 , H01C17/075
CPC分类号： H01C7/006 , H01C17/00 , H01C17/003 , H01C17/075
摘要： 本发明涉及薄膜电阻器及其制造方法。一种制造薄膜电阻器(100)的方法，包括：步骤S1，对基材(10)进行前处理；步骤S2，使用靶材，对基材的表面(12)进行离子注入和/或等离子体沉积处理，以在基材的表面上形成电阻层(14)；以及步骤S3，在电阻层的两侧形成电极(18)。
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公开(公告)号：CN107620051B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201710786228.1
申请日：2017-09-04
申请人： 武汉光谷创元电子有限公司
摘要： 本发明涉及覆铜板及其制造方法。具体而言，公开了一种利用离子注入法制造覆铜板的方法，包括：提供由绝缘材料构成的基材并对其进行前处理；通过离子注入在基材上注入第一金属离子以在基材的表面以内一定深度范围形成离子注入层；对经过离子注入的基材进行等离子体沉积以形成第一等离子体沉积层；进行等离子体沉积以在第一等离子体沉积层上形成第二等离子体沉积层以制得覆铜板。此外，还公开了一种铜箔厚度超薄并且结合力很高的覆铜板，其在第一等离子体沉积层和第二等离子体沉积层的界面处形成厚度为5‑50nm的合金层。
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公开(公告)号：CN105870093B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201610351250.9
申请日：2016-05-25
申请人： 武汉光谷创元电子有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/265
摘要： 本发明涉及导体柱及其制造方法、封装芯片的方法和芯片倒装产品。一种制造导体柱的方法，包括以下步骤：使用靶材，对芯片电极的表面、或形成于芯片中的孔的孔壁、或者封装基板的线路表面进行离子注入和/或等离子体沉积处理，以形成导电籽晶层(步骤S1)；以及，在导电籽晶层的上方形成柱状的导体加厚层，该导体加厚层和导电籽晶层组成导体柱(步骤S2)。
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公开(公告)号：CN105873352B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510750173.X
申请日：2015-11-06
申请人： 武汉光谷创元电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种高频通信用基板及其制造方法。该高频通信用基板(10)包括：基材(11)，其具有低介电常数(Dk)和低介质损耗因子(Df)；和离子注入层(13)，其位于基材(11)的表面(12)下方。制造高频通信用基板的方法包括：对基材的表面进行前处理，该基材具有低介电常数(Dk)和低介质损耗因子(Df)；和通过离子注入将导电材料注入到经前处理后的基材的表面下方，形成离子注入层。
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公开(公告)号：CN106604560B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201710096053.1
申请日：2017-02-22
申请人： 武汉光谷创元电子有限公司
IPC分类号： H05K3/10
摘要： 本发明涉及电路板加工方法，该方法包括如下步骤：在基材的至少一个表面上覆盖带有对应于线路图案的中空部分的模具；对所述模具的表面和未被所述模具覆盖的所述基材的表面进行离子注入与等离子体沉积处理，从而在所述模具的表面和未被所述模具覆盖的所述基材的表面形成导电籽晶层；对形成导电籽晶层的所述模具的表面以及未被所述模具覆盖的所述基材的表面镀覆金属加厚层，从而形成包括导电籽晶层和金属加厚层的导体层；以及直接去除所述模具，从而制得单层电路板。
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公开(公告)号：CN105899003B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201510747884.1
申请日：2015-11-06
申请人： 武汉光谷创元电子有限公司
IPC分类号： H05K3/42
摘要： 本发明涉及单层电路板、多层电路板以及它们的制造方法。一种制造单层电路板的方法包括以下步骤：在基材上钻孔，其包括盲孔和/或通孔(S1)；在基材的表面上形成带有电路负像的光阻层(S2)；在基材的表面和孔的孔壁形成导电籽晶层(S3)；以及去除光阻层，以在基材的表面上形成电路图案(S4)，其中，步骤S3包括通过离子注入将导电材料注入到基材的表面下方和孔的孔壁下方，以形成离子注入层作为导电籽晶层的至少一部分。
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公开(公告)号：CN107620051A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710786228.1
申请日：2017-09-04
申请人： 武汉光谷创元电子有限公司
摘要： 本发明涉及覆铜板及其制造方法。具体而言，公开了一种利用离子注入法制造覆铜板的方法，包括：提供由绝缘材料构成的基材并对其进行前处理；通过离子注入在基材上注入第一金属离子以在基材的表面以内一定深度范围形成离子注入层；对经过离子注入的基材进行等离子体沉积以形成第一等离子体沉积层；进行等离子体沉积以在第一等离子体沉积层上形成第二等离子体沉积层以制得覆铜板。此外，还公开了一种铜箔厚度超薄并且结合力很高的覆铜板，其在第一等离子体沉积层和第二等离子体沉积层的界面处形成厚度为5-50nm的合金层。
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公开(公告)号：CN106604560A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710096053.1
申请日：2017-02-22
申请人： 武汉光谷创元电子有限公司
IPC分类号： H05K3/10
CPC分类号： H05K3/105 , H05K2203/092
摘要： 本发明涉及电路板加工方法，该方法包括如下步骤：在基材的至少一个表面上覆盖带有对应于线路图案的中空部分的模具；对所述模具的表面和未被所述模具覆盖的所述基材的表面进行离子注入与等离子体沉积处理，从而在所述模具的表面和未被所述模具覆盖的所述基材的表面形成导电籽晶层；对形成导电籽晶层的所述模具的表面以及未被所述模具覆盖的所述基材的表面镀覆金属加厚层，从而形成包括导电籽晶层和金属加厚层的导体层；以及直接去除所述模具，从而制得单层电路板。
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