真空处理腔室和具有真空处理腔室的真空处理设备

    公开(公告)号:CN102770936B

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201080052526.4

    申请日:2010-10-05

    CPC classification number: H01J37/32431 H01L21/67201

    Abstract: 本发明涉及一种真空处理腔室,其具有用于在所述腔室中构造磁场的线圈装置,其中所述线圈装置包括至少一个第一部分线圈和一个第二部分线圈,其中所述第一部分线圈和第二部分线圈在横截面中如此并排地优选放置在一个平面中,从而使得所述第一线圈的至少各一个部分区段基本上遵循所述第二线圈的部分区段延伸,其中所述第一部分区段与第二部分区段的间距比部分线圈的以及必要时更小的部分线圈的横截面小至少一个数量级。

    反应溅射过程
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104272429A

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN201280069085.8

    申请日:2012-11-23

    CPC classification number: C23C14/3485 C23C14/0094 H01J37/3467 H01J37/3485

    Abstract: 本发明涉及一种用于反应溅射的方法,其中借助离子轰击,材料从第一靶子的表面脱离并且过渡到气相,其中在该靶子上如此以脉冲方式施加负电压,使得在靶子表面上产生电流密度大于0.5A/cm2的电流,以便过渡到气相的材料至少部分被离子化并且其中构建反应气体流,并且反应气体与靶子表面的材料反应,其特征在于,如此选择电压脉冲的持续时间,使得在电压脉冲期间靶子表面在电流流动的一个或者多个位置大部分时间至少部分地用由反应气体和靶子材料组成的化合物覆盖,并且因此靶子表面处于第一中间状态,以及该覆盖在电压脉冲结束时小于电压脉冲开始时,因此靶子表面在电压脉冲结束时处于第二中间状态。

    用于模拟真空设备用的圆形线圈的部分线圈系统

    公开(公告)号:CN102770936A

    公开(公告)日:2012-11-07

    申请号:CN201080052526.4

    申请日:2010-10-05

    CPC classification number: H01J37/32431 H01L21/67201

    Abstract: 本发明涉及一种真空处理腔室,其具有用于在所述腔室中构造磁场的线圈装置,其中所述线圈装置包括至少一个第一部分线圈和一个第二部分线圈,其中所述第一部分线圈和第二部分线圈在横截面中如此并排地优选放置在一个平面中,从而使得所述第一线圈的至少各一个部分区段基本上遵循所述第二线圈的部分区段延伸,其中所述第一部分区段与第二部分区段的间距比部分线圈的以及必要时更小的部分线圈的横截面小至少一个数量级。

Patent Agency Ranking