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公开(公告)号：CN109417025B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201780027657.9
申请日：2017-04-25
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/792 , H10B43/27
Abstract: 通过绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠形成存储堆叠结构。通过针对所述绝缘层和所述存储堆叠结构选择性地移除所述牺牲材料层来形成背面凹陷部。在形成金属填充材料层之前，在所述背面凹陷部中形成阻挡层堆叠，所述阻挡层堆叠包括晶体导电阻挡层和无定形阻挡层。
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公开(公告)号：CN111183520A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201880063215.4
申请日：2018-09-20
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L21/768 , H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11529 , H01L27/11573
Abstract: 穿过位于衬底上方的绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体来形成存储器开口。通过相对于所述绝缘层使所述牺牲材料层横向凹陷来围绕所述存储器开口来形成环形凹陷部。通过选择性沉积工艺在所述环形凹陷部中的每个凹陷部内的所述牺牲材料层的凹陷侧壁上方形成环形金属部分。通过采用自组装材料层来选择性地在环形金属部分的内侧壁上形成环形背侧阻挡电介质，所述自组装材料层覆盖绝缘层的表面并抑制电介质材料沉积在所述绝缘层的表面上。在存储器开口中形成存储器堆叠结构，并且用导电层替换所述牺牲材料层。所述环形背侧阻挡电介质为用作控制栅极电极的所述环形金属部分提供电隔离。
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公开(公告)号：CN111183520B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201880063215.4
申请日：2018-09-20
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
Abstract: 穿过位于衬底上方的绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠体来形成存储器开口。通过相对于所述绝缘层使所述牺牲材料层横向凹陷来围绕所述存储器开口来形成环形凹陷部。通过选择性沉积工艺在所述环形凹陷部中的每个凹陷部内的所述牺牲材料层的凹陷侧壁上方形成环形金属部分。通过采用自组装材料层来选择性地在环形金属部分的内侧壁上形成环形背侧阻挡电介质，所述自组装材料层覆盖绝缘层的表面并抑制电介质材料沉积在所述绝缘层的表面上。在存储器开口中形成存储器堆叠结构，并且用导电层替换所述牺牲材料层。所述环形背侧阻挡电介质为用作控制栅极电极的所述环形金属部分提供电隔离。
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公开(公告)号：CN109417025A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780027657.9
申请日：2017-04-25
Applicant: 桑迪士克科技有限责任公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/792 , H01L27/11582
Abstract: 通过绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠形成存储堆叠结构。通过针对所述绝缘层和所述存储堆叠结构选择性地移除所述牺牲材料层来形成背面凹陷部。在形成金属填充材料层之前，在所述背面凹陷部中形成阻挡层堆叠，所述阻挡层堆叠包括晶体导电阻挡层和无定形阻挡层。
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