公开(公告)号：CN116130413A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310151058.5

申请日：2023-02-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 曹峰哲 ,  王新海 ,  张裕杭 ,  李晓俊

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明公开了基于改进硅通孔技术的多层芯片三维堆叠封装方法。该方法是由如下步骤实现的：步骤一，采用深反应离子刻蚀技术进行通孔的加工，形成通孔；步骤二，采用等离子体增强化学气相沉积技术隔断填充金属与Si之间的电导通，沉积绝缘层；步骤三，在Cu和半导体本体之间沉积一层阻挡层，在阻挡层表面覆盖一层Cu种子层用以导电，沉积阻挡层和种子层；步骤四，采用电镀Cu工艺来填充硅通孔；步骤五，采用化学机械抛光技术将多余的Cu去除，平坦化晶圆表面；步骤六，将晶圆的磨削、抛光、保护膜去除和划片膜粘贴等工序集合在一台设备内，减薄晶圆。

公开(公告)号：CN116053147A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202310151088.6

申请日：2023-02-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 曹峰哲 ,  王新海 ,  张裕杭 ,  李晓俊

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明公开了一种存储芯片三维堆叠封装方法，具体是一种改进的存储芯片三维堆叠封装方法。改进的三维堆叠封装方法能够简化诸如I/O再分布、侧墙绝缘、侧墙互连和封装成形等工艺；采用机械芯片三维堆叠封装原型成功地进行了验证，创建了最新设计的存储芯片三维堆叠封装。三维存储芯片堆叠封装的制造工艺包括：把晶圆切割成为芯片分段；包含侧墙绝缘的芯片钝化；在原始I/O焊盘上的通道开口；从中心焊盘到侧墙的再分配；采用聚合物胶粘剂的裸芯片堆叠技术；侧墙互连技术；焊球粘附。与传统三维封装相比，在此新的三维封装设计中，进行了显著的改进。