公开(公告)号：CN102105247B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200980130288.1

申请日：2009-07-16

Applicant: 株式会社IHI

Inventor： 落合宏行 ,  矢野正晴 ,  藤悬清 ,  泷本良雄 ,  渡边丰

IPC: B23B1/00

CPC classification number: B23B1/00 ,  B23B2215/64 ,  B23B2270/205

Abstract: 不使用颤振防止用的保持具就能够不产生颤振而切削薄壁部件。(A)准备相对于薄壁部件(3)而具有余量的坯料(5)，(B)一边使坯料(5)以中心轴(C1)为中心而旋转，一边将切削刀具相对于坯料(5)从中心轴(C1)的一端侧向着另一端侧进给规定范围以内的所期望的距离，从而将内周面(3a)切削该所期望的距离，(C)一边使坯料(5)以中心轴(C1)为中心而旋转，一边将切削刀具相对于坯料(5)从中心轴(C1)的一端侧向着另一端侧进给规定范围以内的所期望的距离，从而将外周面(3b)切削该所期望的距离，(D)通过交替地反复进行(B)和(C)，从而在规定范围内精加工内周面(3a)和外周面(3b)。

公开(公告)号：CN105073317B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201480011773.8

申请日：2014-03-10

Applicant: 株式会社IHI

Inventor： 荒木隆人 ,  矢野正晴 ,  今成邦之 ,  石津功太 ,  上田隆司 ,  细川晃 ,  古本达明

IPC: B23C3/00 ,  B23C9/00 ,  B23K26/00 ,  B23K26/352 ,  B23P25/00 ,  B23K26/082

CPC classification number: C04B41/0036 ,  B23C3/00 ,  B23C9/00 ,  B23C2222/61 ,  B23C2226/18 ,  B23C2226/27 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0093 ,  B23K26/082 ,  B23K26/352 ,  B23K2103/52 ,  B23P25/006 ,  C04B41/009 ,  C04B41/53 ,  Y10T29/5107 ,  Y10T409/303808 ,  Y10T409/304032

Abstract: 本发明提供一种提高陶瓷基复合材料(CMC)的加工速度的陶瓷基复合材料的加工方法，其具有：在陶瓷基复合材料(CMC)的被加工材料(30)的表面，由激光头(21)使激光的照射部(32)扫描来照射，在该照射部(32)的被加工材料(30)的表面形成劣化层的步骤，和通过端铣刀(25)将形成于照射部(32)的劣化层依次去除的步骤，前述劣化层是通过利用激光的连续振荡激光的照射将照射部(32)加热至预定温度，同时通过脉冲振荡激光的照射形成龟裂而形成的。

公开(公告)号：CN102105247A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980130288.1

申请日：2009-07-16

Applicant: 株式会社IHI

Inventor： 落合宏行 ,  矢野正晴 ,  藤悬清 ,  泷本良雄 ,  渡边丰

IPC: B23B1/00

CPC classification number: B23B1/00 ,  B23B2215/64 ,  B23B2270/205

Abstract: 不使用颤振防止用的保持具就能够不产生颤振而切削薄壁部件。(A)准备相对于薄壁部件(3)而具有余量的坯料(5)，(B)一边使坯料(5)以中心轴(C1)为中心而旋转，一边将切削刀具相对于坯料(5)从中心轴(C1)的一端侧向着另一端侧进给规定范围以内的所期望的距离，从而将内周面(3a)切削该所期望的距离，(C)一边使坯料(5)以中心轴(C1)为中心而旋转，一边将切削刀具相对于坯料(5)从中心轴(C1)的一端侧向着另一端侧进给规定范围以内的所期望的距离，从而将外周面(3b)切削该所期望的距离，(D)通过交替地反复进行(B)和(C)，从而在规定范围内精加工内周面(3a)和外周面(3b)。

公开(公告)号：CN105073317A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480011773.8

申请日：2014-03-10

Applicant: 株式会社IHI

Inventor： 荒木隆人 ,  矢野正晴 ,  今成邦之 ,  石津功太 ,  上田隆司 ,  细川晃 ,  古本达明

IPC: B23C3/00 ,  B23C9/00 ,  B23K26/00 ,  B23K26/352 ,  B23P25/00 ,  B23K26/082

CPC classification number: C04B41/0036 ,  B23C3/00 ,  B23C9/00 ,  B23C2222/61 ,  B23C2226/18 ,  B23C2226/27 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0093 ,  B23K26/082 ,  B23K26/352 ,  B23K2103/52 ,  B23P25/006 ,  C04B41/009 ,  C04B41/53 ,  Y10T29/5107 ,  Y10T409/303808 ,  Y10T409/304032

Abstract: 本发明提供一种提高陶瓷基复合材料(CMC)的加工速度的陶瓷基复合材料的加工方法，其具有：在陶瓷基复合材料(CMC)的被加工材料(30)的表面，由激光头(21)使激光的照射部(32)扫描来照射，在该照射部(32)的被加工材料(30)的表面形成劣化层的步骤，和通过端铣刀(25)将形成于照射部(32)的劣化层依次去除的步骤，前述劣化层是通过利用激光的连续振荡激光的照射将照射部(32)加热至预定温度，同时通过脉冲振荡激光的照射形成龟裂而形成的。