氮化处理装置以及氮化处理方法

    公开(公告)号:CN112703268B

    公开(公告)日:2023-02-21

    申请号:CN201980062639.3

    申请日:2019-09-26

    Abstract: 本发明提供一种能够准确地测量被氮化处理的被处理体的温度,并抑制化合物层的生成的氮化处理装置以及氮化处理方法。氮化处理装置(1)具备腔室(10)、气体供给部(50)、支撑体(20)、等离子体发生源(30)、加热器(70)、包含测温部(61S)的热电偶丝(61)、收容构件(60)、被处理体用电源(41)以及处理条件控制部(80)。收容构件在与热电偶丝绝缘的状态下以覆盖所述测温部的方式将热电偶丝收容于内部。被处理体用电源以使被处理体(W)以及收容构件被设定为负侧的相同电位的方式向被处理体以及收容构件施加指定的电压。

    成膜方法
    2.
    发明公开
    成膜方法 审中-实审

    公开(公告)号:CN111212929A

    公开(公告)日:2020-05-29

    申请号:CN201880067006.7

    申请日:2018-10-03

    Abstract: 本发明提供一种能够在基材的表面形成具有比该基材的硬度高的高度的皮膜并使该皮膜良好地紧贴于基材的表面的成膜方法。该成膜方法包括以下步骤:使通过一边在收容基材的腔室内导入惰性气体一边放电而生成的惰性气体离子冲撞于基材的表面,从而对基材的表面进行蚀刻的蚀刻步骤;一边通过使惰性气体离子冲撞于金属靶材而使金属粒子从金属靶材飞出并使该金属粒子堆积于在蚀刻步骤被蚀刻后的基材的表面,一边使惰性气体离子冲撞于在基材的表面被堆积的金属粒子而将该金属粒子打进基材的表面的打进步骤;以及将皮膜形成于在打进步骤被打进金属粒子后的基材的表面的皮膜形成步骤。

    氮化处理装置以及氮化处理方法

    公开(公告)号:CN112703268A

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN201980062639.3

    申请日:2019-09-26

    Abstract: 本发明提供一种能够准确地测量被氮化处理的被处理体的温度,并抑制化合物层的生成的氮化处理装置以及氮化处理方法。氮化处理装置(1)具备腔室(10)、气体供给部(50)、支撑体(20)、等离子体发生源(30)、加热器(70)、包含测温部(61S)的热电偶丝(61)、收容构件(60)、被处理体用电源(41)以及处理条件控制部(80)。收容构件在与热电偶丝绝缘的状态下以覆盖所述测温部的方式将热电偶丝收容于内部。被处理体用电源以使被处理体(W)以及收容构件被设定为负侧的相同电位的方式向被处理体以及收容构件施加指定的电压。

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