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公开(公告)号:CN108346700B
公开(公告)日:2021-10-12
申请号:CN201810067250.5
申请日:2018-01-23
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其能够抑制表面电极的裂纹并且减轻半导体基板的应力。该半导体装置具有:半导体基板;覆盖所述半导体基板的表面的表面电极;覆盖所述表面电极的表面的一部分的绝缘保护膜;以及对横跨从所述绝缘保护膜的表面至所述表面电极的表面的范围进行覆盖的焊接用金属膜。所述表面电极具有:配置在所述半导体基板上的第一金属膜;与所述第一金属膜的表面接触且具有比所述第一金属膜更高的拉伸强度的第二金属膜;以及第三金属膜,其与所述第二金属膜的表面接触,具有与所述第二金属膜相比较低而与所述第一金属膜相比较高的拉伸强度。
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公开(公告)号:CN108346700A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201810067250.5
申请日:2018-01-23
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/41708 , H01L21/28518 , H01L21/28568 , H01L21/32133 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L29/0696 , H01L29/45 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其能够抑制表面电极的裂纹并且减轻半导体基板的应力。该半导体装置具有:半导体基板;覆盖所述半导体基板的表面的表面电极;覆盖所述表面电极的表面的一部分的绝缘保护膜;以及对横跨从所述绝缘保护膜的表面至所述表面电极的表面的范围进行覆盖的焊接用金属膜。所述表面电极具有:配置在所述半导体基板上的第一金属膜;与所述第一金属膜的表面接触且具有比所述第一金属膜更高的拉伸强度的第二金属膜;以及第三金属膜,其与所述第二金属膜的表面接触,具有与所述第二金属膜相比较低而与所述第一金属膜相比较高的拉伸强度。
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