公开(公告)号：CN104838500A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201380062964.2

申请日：2013-11-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 利田祐麻 ,  赤木望 ,  林敬太

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 半导体装置具备比超结构造高杂质浓度的深层(18)。所述深层从距半导体层(5)的表面为规定深度的位置形成，与高杂质层(10)相接并与所述超结构造相接。从衬底法线方向来看，所述深层和表面电极(12)中的与所述高杂质层相接的部分中成为最外周侧的第1端部(P1)与所述高杂质层中的外周侧的端部之间重叠。

公开(公告)号：CN104838500B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201380062964.2

申请日：2013-11-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 利田祐麻 ,  赤木望 ,  林敬太

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 半导体装置具备比超结构造高杂质浓度的深层(18)。所述深层从距半导体层(5)的表面为规定深度的位置形成，与高杂质层(10)相接并与所述超结构造相接。从衬底法线方向来看，所述深层和表面电极(12)中的与所述高杂质层相接的部分中成为最外周侧的第1端部(P1)与所述高杂质层中的外周侧的端部之间重叠。