公开(公告)号：CN108074810B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201711123594.5

申请日：2017-11-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 细川博司 ,  岩崎真也 ,  西胁刚 ,  今井敦志 ,  大木周平

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/268 ,  H01L21/322 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供抑制阴极区域与晶体缺陷区域的相对位置偏离的半导体装置的制造方法。该制造方法是具备二极管的半导体装置的制造方法，具有：通过从半导体基板的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面中的至少一方向所述半导体基板的第一范围和第二范围注入带电粒子，来使所述第一范围及所述第二范围的晶体缺陷密度上升的工序；通过从所述第一表面向所述第一范围注入n型杂质，来使所述第一范围的向所述第一表面露出的区域非晶形化的工序；在实施所述带电粒子的注入和所述n型杂质的注入后，通过将激光向所述第一表面照射来对所述第一范围和所述第二范围进行加热的工序；及在实施所述激光的照射以后使非晶形化的所述区域结晶化的工序。

公开(公告)号：CN105830217B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201480068878.7

申请日：2014-07-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 岩崎真也 ,  龟山悟

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种小型且二极管的正向电压不易根据栅极电位而发生变化的半导体装置。在半导体基板的露出于上表面的范围内形成有阳极区和上部IGBT结构(发射区和体区)，沿着阳极区与上部IGBT结构的边界而延伸有沟槽、栅绝缘膜和栅电极，在所述半导体基板的露出于下表面的范围内形成有阴极区和集电区，在上表面侧结构与下表面侧结构之间形成有漂移区，结晶缺陷区跨及阴极区的上侧的漂移区内和集电区的上侧的漂移区内而延伸，在将半导体基板的厚度设为xμm，将结晶缺陷区的向集电区的上侧突出的部分的宽度设为yμm的情况下，满足y≥0.007x2‑1.09x+126的关系。

公开(公告)号：CN106688083B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201580052916.4

申请日：2015-08-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 秦裕史 ,  龟山悟 ,  岩崎真也

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 在半导体装置(1)中，在同一半导体基板(10)上形成有IGBT和二极管。并具备：半导体基板(10)；表面电极(11)，其被形成在半导体基板(10)的表面上；背面电极(12)，其被形成在半导体基板(10)的背面上。在半导体基板(10)上，形成有有源区(1a)、周围区(4)、结晶缺陷区(100)。在有源区(1a)中，在对所述半导体基板的表面进行俯视观察时并排设置有IGBT区(2)和二极管区(3)。在二极管区(3)中形成有：阳极区(31)，其与表面电极(11)导通；阴极区(32)，其与背面电极(12)导通；漂移区(50)，其位于阳极区(31)和阴极区(32)之间。在对半导体基板(10)的表面进行俯视观察时，周围区(4)位于有源区(1a)的周围。周围区(4)具备：p型的阱区(41)，其从半导体基板(10)的表面起到达至与阳极区(31)相比而较深的位置为止，并与表面电极(11)导通；漂移区(50)，其位于阱区(41)的背面侧，并且与二极管区(3)内的漂移区(50)连接。在结晶缺陷区(100)中被导入有复合中心，从而结晶缺陷区(100)中的复合中心的浓度与周围的复合中心的浓度相比而变得较高。结晶缺陷区(100)沿着二极管区(3)的长度方向而从二极管区(3)连续地延伸至周围区(4)为止。