公开(公告)号：CN106952811B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201611122368.0

申请日：2016-12-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 亀山悟 ,  味冈正树 ,  大木周平

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法包括半导体区域形成工序、清洗工序、表面粗糙度均匀化工序和电极形成工序。作为半导体区域形成工序，形成半导体区域，以使得具有不同离子注入量的多个半导体区域暴露在半导体基板的一个主表面上。作为清洗工序，在半导体区域形成工序之后，使用氢氟酸在半导体基板的所述一个主表面上进行清洗。作为表面粗糙度均匀化工序，在清洗工序之后，使半导体基板的所述一个主表面的表面粗糙度均匀化。作为电极形成工序，在表面粗糙度均匀化工序之后，在半导体基板的所述一个主表面上形成电极。

公开(公告)号：CN108074810B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201711123594.5

申请日：2017-11-14

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 细川博司 ,  岩崎真也 ,  西胁刚 ,  今井敦志 ,  大木周平

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/268 ,  H01L21/322 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供抑制阴极区域与晶体缺陷区域的相对位置偏离的半导体装置的制造方法。该制造方法是具备二极管的半导体装置的制造方法，具有：通过从半导体基板的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面中的至少一方向所述半导体基板的第一范围和第二范围注入带电粒子，来使所述第一范围及所述第二范围的晶体缺陷密度上升的工序；通过从所述第一表面向所述第一范围注入n型杂质，来使所述第一范围的向所述第一表面露出的区域非晶形化的工序；在实施所述带电粒子的注入和所述n型杂质的注入后，通过将激光向所述第一表面照射来对所述第一范围和所述第二范围进行加热的工序；及在实施所述激光的照射以后使非晶形化的所述区域结晶化的工序。