公开(公告)号：CN106688083B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201580052916.4

申请日：2015-08-03

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 秦裕史 ,  龟山悟 ,  岩崎真也

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 在半导体装置(1)中，在同一半导体基板(10)上形成有IGBT和二极管。并具备：半导体基板(10)；表面电极(11)，其被形成在半导体基板(10)的表面上；背面电极(12)，其被形成在半导体基板(10)的背面上。在半导体基板(10)上，形成有有源区(1a)、周围区(4)、结晶缺陷区(100)。在有源区(1a)中，在对所述半导体基板的表面进行俯视观察时并排设置有IGBT区(2)和二极管区(3)。在二极管区(3)中形成有：阳极区(31)，其与表面电极(11)导通；阴极区(32)，其与背面电极(12)导通；漂移区(50)，其位于阳极区(31)和阴极区(32)之间。在对半导体基板(10)的表面进行俯视观察时，周围区(4)位于有源区(1a)的周围。周围区(4)具备：p型的阱区(41)，其从半导体基板(10)的表面起到达至与阳极区(31)相比而较深的位置为止，并与表面电极(11)导通；漂移区(50)，其位于阱区(41)的背面侧，并且与二极管区(3)内的漂移区(50)连接。在结晶缺陷区(100)中被导入有复合中心，从而结晶缺陷区(100)中的复合中心的浓度与周围的复合中心的浓度相比而变得较高。结晶缺陷区(100)沿着二极管区(3)的长度方向而从二极管区(3)连续地延伸至周围区(4)为止。