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公开(公告)号：CN109563620A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201880003097.8
申请日：2018-05-11
Abstract: 本发明的薄膜的形成方法，其包含第一工序和第二工序；在该第一工序中，是将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第一状态变成第二状态；该第一状态是将成膜材料和载流气体供给至该成膜对象从而使该成膜材料附着于该成膜对象；该第二状态是从第一状态中将供给该成膜材料除外；在第二工序中，将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第三状态变成第四状态；该第三状态是将氢气和载流气体供给至成膜对象，使成膜材料还原；该第四状态是从该第三状态将供给氢气除外。成膜材料是从由Al(CxH2x+1)3、Al(CxH2x+1)2H、Al(CxH2x+1)2Cl构成的组中选择的任一者。交替重复第一工序和第二工序，在成膜对象的表面形成铝原子的含量在20原子％以上的碳化铝膜。
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公开(公告)号：CN109563620B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201880003097.8
申请日：2018-05-11
Abstract: 本发明的薄膜的形成方法，其包含第一工序和第二工序；在该第一工序中，是将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第一状态变成第二状态；该第一状态是将成膜材料和载流气体供给至该成膜对象从而使该成膜材料附着于该成膜对象；该第二状态是从第一状态中将供给该成膜材料除外；在第二工序中，将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第三状态变成第四状态；该第三状态是将氢气和载流气体供给至成膜对象，使成膜材料还原；该第四状态是从该第三状态将供给氢气除外。成膜材料是从由Al(CxH2x+1)3、Al(CxH2x+1)2H、Al(CxH2x+1)2Cl构成的组中选择的任一者。交替重复第一工序和第二工序，在成膜对象的表面形成铝原子的含量在20原子％以上的碳化铝膜。
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公开(公告)号：CN1842901A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200480024317.3
申请日：2004-08-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/316 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/4482 , C23C16/409 , C23C16/452 , H01L21/3165
Abstract: 本发明涉及氧化物薄膜制造方法及其制造装置。本发明是通过实现氧化物薄膜的氧缺损的降低和外延生长的促进，制造有优异特性的氧化物薄膜的薄膜制造方法，通过利用加热手段维持在不引起原料的液化、析出、成膜的温度的气体活化手段由喷射板向反应室内的加热基板上供给原料气、载气及氧化气体混合得到的混合气进行反应，在基板上制造氧化物薄膜。此时，按混合气基准使氧化气体的比例为大于等于60％。另外，使形成核形成的初期层的场合，其成膜工艺中的氧化气体流量比例不足60％，使其后的成膜工艺中的氧化气体流量比例为大于等于60％进行制造。此外，在氧化物薄膜制造装置中，在混合器与喷射板之间具有加热手段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101321893A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045341.4
申请日：2006-11-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/45514 , C23C16/45565
Abstract: 本发明提供一种低成本、可以抑制自由基气体的减活、能够向基板上均匀导入原料气体的气体压头及薄膜制造装置。本发明的气体压头(13)具备导入反应气体的反应气体导入口(30A)、导入原料气体的原料气体导入口(30B)、和与原料气体导入口(30B)相向配置地使原料气体分散的分散板(32)，原料气体导入口(30B)包围反应气体导入口(30A)周围那样地设有多个。导入至反应气体导入口(30A)的反应气体与导入至原料气体导入口(30B)且由分散板(32)分散的原料气体混合。原料气体导入口(30B)虽在反应气体导入口(30A)的周围设有多个，但不必做成喷洒孔等那样的细微孔。
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公开(公告)号：CN101466866B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200780021623.5
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/44 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/44 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种能够通过零部件的共用化实现降低成本和提高成膜效率的薄膜制造装置。该薄膜制造装置(10)，通过设置在真空槽(12)内部的内部块(17)对反应空间(31)的容积进行规定，从而在不改变真空槽尺寸的情况下仅通过改变内部块(17)的内径尺寸达到反应空间(31)的容积的最佳化。这样，采用共用的真空槽(12)使不同尺寸的多种基板(W)成膜就成为可能。而且，由于能够将按照处理基板的尺寸而准备的装置构成零部件的数量的增加抑制到最小限度，因此，可以实现零部件成本的降低，并且在简化组装作业、产品检查作业和调整作业的同时，还可以实现优异的成膜效率和稳定成膜。
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公开(公告)号：CN101321893B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200680045341.4
申请日：2006-11-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/45514 , C23C16/45565
Abstract: 本发明提供一种低成本、可以抑制自由基气体的减活、能够向基板上均匀导入原料气体的气体压头及薄膜制造装置。本发明的气体压头(13)具备导入反应气体的反应气体导入口(30A)、导入原料气体的原料气体导入口(30B)、和与原料气体导入口(30B)相向配置地使原料气体分散的分散板(32)，原料气体导入口(30B)包围反应气体导入口(30A)周围那样地设有多个。导入至反应气体导入口(30A)的反应气体与导入至原料气体导入口(30B)且由分散板(32)分散的原料气体混合。原料气体导入口(30B)虽在反应气体导入口(30A)的周围设有多个，但不必做成喷洒孔等那样的细微孔。
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公开(公告)号：CN101466866A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780021623.5
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/44 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/44 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种能够通过零部件的共用化实现降低成本和提高成膜效率的薄膜制造装置。该薄膜制造装置(10)，通过设置在真空槽(12)内部的内部块(17)对反应空间(31)的容积进行规定，从而在不改变真空槽尺寸的情况下仅通过改变内部块(17)的内径尺寸达到反应空间(31)的容积的最佳化。这样，采用共用的真空槽(12)使不同尺寸的多种基板(W)成膜就成为可能。而且，由于能够将按照处理基板的尺寸而准备的装置构成零部件的数量的增加抑制到最小限度，因此，可以实现零部件成本的降低，并且在简化组装作业、产品检查作业和调整作业的同时，还可以实现优异的成膜效率和稳定成膜。
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公开(公告)号：CN100435294C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200480024317.3
申请日：2004-08-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/316 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/4482 , C23C16/409 , C23C16/452 , H01L21/3165
Abstract: 本发明涉及氧化物薄膜制造方法及其制造装置。本发明是通过实现氧化物薄膜的氧缺损的降低和外延生长的促进，制造有优异特性的氧化物薄膜的薄膜制造方法，通过利用加热手段维持在不引起原料的液化、析出、成膜的温度的气体活化手段由喷射板向反应室内的加热基板上供给原料气、载气及氧化气体混合得到的混合气进行反应，在基板上制造氧化物薄膜。此时，按混合气基准使氧化气体的比例为大于等于60%。另外，使形成核形成的初期层的场合，其成膜工艺中的氧化气体流量比例不足60%，使其后的成膜工艺中的氧化气体流量比例为大于等于60%进行制造。此外，在氧化物薄膜制造装置中，在混合器与喷射板之间具有加热手段。
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