公开(公告)号：CN101466866B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200780021623.5

申请日：2007-04-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 山田贵一 ,  入野修 ,  加贺美刚

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种能够通过零部件的共用化实现降低成本和提高成膜效率的薄膜制造装置。该薄膜制造装置(10)，通过设置在真空槽(12)内部的内部块(17)对反应空间(31)的容积进行规定，从而在不改变真空槽尺寸的情况下仅通过改变内部块(17)的内径尺寸达到反应空间(31)的容积的最佳化。这样，采用共用的真空槽(12)使不同尺寸的多种基板(W)成膜就成为可能。而且，由于能够将按照处理基板的尺寸而准备的装置构成零部件的数量的增加抑制到最小限度，因此，可以实现零部件成本的降低，并且在简化组装作业、产品检查作业和调整作业的同时，还可以实现优异的成膜效率和稳定成膜。

公开(公告)号：CN101466866A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021623.5

申请日：2007-04-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 山田贵一 ,  入野修 ,  加贺美刚

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种能够通过零部件的共用化实现降低成本和提高成膜效率的薄膜制造装置。该薄膜制造装置(10)，通过设置在真空槽(12)内部的内部块(17)对反应空间(31)的容积进行规定，从而在不改变真空槽尺寸的情况下仅通过改变内部块(17)的内径尺寸达到反应空间(31)的容积的最佳化。这样，采用共用的真空槽(12)使不同尺寸的多种基板(W)成膜就成为可能。而且，由于能够将按照处理基板的尺寸而准备的装置构成零部件的数量的增加抑制到最小限度，因此，可以实现零部件成本的降低，并且在简化组装作业、产品检查作业和调整作业的同时，还可以实现优异的成膜效率和稳定成膜。

公开(公告)号：CN110402481B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN201880017568.0

申请日：2018-10-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 加贺美刚 ,  福本英范

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的被处理体的处理装置具备：腔室，被构造为内部空间能够减压，并且在所述内部空间中对被处理体进行等离子体处理；第一电极，配设在所述腔室内，用于载置所述被处理体；第一电源，用于对所述第一电极施加负电位的偏置电压；气体导入装置，用于向所述腔室内导入工艺气体；和排气装置，用于对所述腔室内进行减压。在所述第一电极与所述被处理体之间，设置有以覆盖所述第一电极的方式设置的罩部。在所述第一电极与所述罩部之间，以占据局部区域的方式配置有衬垫部。

公开(公告)号：CN110402481A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201880017568.0

申请日：2018-10-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 加贺美刚 ,  福本英范

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明的被处理体的处理装置具备：腔室，被构造为内部空间能够减压，并且在所述内部空间中对被处理体进行等离子体处理；第一电极，配设在所述腔室内，用于载置所述被处理体；第一电源，用于对所述第一电极施加负电位的偏置电压；气体导入装置，用于向所述腔室内导入工艺气体；和排气装置，用于对所述腔室内进行减压。在所述第一电极与所述被处理体之间，设置有以覆盖所述第一电极的方式设置的罩部。在所述第一电极与所述罩部之间，以占据局部区域的方式配置有衬垫部。