公开(公告)号：CN101657565A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200880011821.8

申请日：2008-04-15

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 畠中正信 ,  入野修 ,  石川道夫

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/30 ,  C23C16/38 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种使用两种以上的气体进行均匀成膜的成膜装置。在配置有成膜室(5)及喷头(1)的成膜装置中，前述喷头具有原料气体扩散室及反应气体扩散室，连接前述原料气体扩散室(135)和原料气体导入管(133)的气体通道(134)由1段以上的多段构成，各段拥有可用2 n-1 (n为段数)表示的气体通道，第1段气体通道在其中心部位与前述原料气体导入管连接，第2段以后的各气体通道通过在其中心部位与设置在前一段气体通道两端的连接孔连接，与前一段气体通道连通，最后段的各气体通道通过与其各气体通道两端上形成的连接孔与原料气体扩散室(135)连接。

公开(公告)号：CN101466866B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200780021623.5

申请日：2007-04-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 山田贵一 ,  入野修 ,  加贺美刚

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种能够通过零部件的共用化实现降低成本和提高成膜效率的薄膜制造装置。该薄膜制造装置(10)，通过设置在真空槽(12)内部的内部块(17)对反应空间(31)的容积进行规定，从而在不改变真空槽尺寸的情况下仅通过改变内部块(17)的内径尺寸达到反应空间(31)的容积的最佳化。这样，采用共用的真空槽(12)使不同尺寸的多种基板(W)成膜就成为可能。而且，由于能够将按照处理基板的尺寸而准备的装置构成零部件的数量的增加抑制到最小限度，因此，可以实现零部件成本的降低，并且在简化组装作业、产品检查作业和调整作业的同时，还可以实现优异的成膜效率和稳定成膜。

公开(公告)号：CN101466866A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021623.5

申请日：2007-04-27

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 山田贵一 ,  入野修 ,  加贺美刚

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供一种能够通过零部件的共用化实现降低成本和提高成膜效率的薄膜制造装置。该薄膜制造装置(10)，通过设置在真空槽(12)内部的内部块(17)对反应空间(31)的容积进行规定，从而在不改变真空槽尺寸的情况下仅通过改变内部块(17)的内径尺寸达到反应空间(31)的容积的最佳化。这样，采用共用的真空槽(12)使不同尺寸的多种基板(W)成膜就成为可能。而且，由于能够将按照处理基板的尺寸而准备的装置构成零部件的数量的增加抑制到最小限度，因此，可以实现零部件成本的降低，并且在简化组装作业、产品检查作业和调整作业的同时，还可以实现优异的成膜效率和稳定成膜。