公开(公告)号：CN109563620B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201880003097.8

申请日：2018-05-11

Applicant: 株式会社爱发科 ,  国际商用机器公司

Inventor： 畠中正信 ,  小川洋平 ,  李建昌 ,  加藤伸幸 ,  山田贵一 ,  约翰·罗森

IPC: C23C16/32 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明的薄膜的形成方法，其包含第一工序和第二工序；在该第一工序中，是将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第一状态变成第二状态；该第一状态是将成膜材料和载流气体供给至该成膜对象从而使该成膜材料附着于该成膜对象；该第二状态是从第一状态中将供给该成膜材料除外；在第二工序中，将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第三状态变成第四状态；该第三状态是将氢气和载流气体供给至成膜对象，使成膜材料还原；该第四状态是从该第三状态将供给氢气除外。成膜材料是从由Al(CxH2x+1)3、Al(CxH2x+1)2H、Al(CxH2x+1)2Cl构成的组中选择的任一者。交替重复第一工序和第二工序，在成膜对象的表面形成铝原子的含量在20原子％以上的碳化铝膜。

公开(公告)号：CN109563620A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201880003097.8

申请日：2018-05-11

Applicant: 株式会社爱发科 ,  国际商用机器公司

Inventor： 畠中正信 ,  小川洋平 ,  李建昌 ,  加藤伸幸 ,  山田贵一 ,  约翰·罗森

IPC: C23C16/32 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明的薄膜的形成方法，其包含第一工序和第二工序；在该第一工序中，是将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第一状态变成第二状态；该第一状态是将成膜材料和载流气体供给至该成膜对象从而使该成膜材料附着于该成膜对象；该第二状态是从第一状态中将供给该成膜材料除外；在第二工序中，将成膜对象的温度设为200℃以上，并从第三状态变成第四状态；该第三状态是将氢气和载流气体供给至成膜对象，使成膜材料还原；该第四状态是从该第三状态将供给氢气除外。成膜材料是从由Al(CxH2x+1)3、Al(CxH2x+1)2H、Al(CxH2x+1)2Cl构成的组中选择的任一者。交替重复第一工序和第二工序，在成膜对象的表面形成铝原子的含量在20原子％以上的碳化铝膜。