公开(公告)号：CN105655393B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201510829130.0

申请日：2015-11-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐佐木健次 ,  黒谷欣吾 ,  北原崇

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体装置。在包括由多个单位晶体管构成的HBT的化合物半导体装置中，使热阻降低。化合物半导体装置具备包括多个单位晶体管的异质结双极晶体管和与多个单位晶体管的发射极电连接的凸块，多个单位晶体管沿第1方向排列，凸块在多个单位晶体管的发射极上沿第1方向延伸配置，多个单位晶体管中的至少一个单位晶体管的发射极从凸块的第1方向上的中心线向与第1方向垂直的第2方向上的一侧偏移配置，多个单位晶体管中的其他至少一个单位晶体管的发射极从凸块的第1方向上的中心线向第2方向上的另一侧偏移配置。

公开(公告)号：CN105655393A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510829130.0

申请日：2015-11-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐佐木健次 ,  黒谷欣吾 ,  北原崇

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/535 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L27/0823 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/40 ,  H01L29/41708 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/1302 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/13051 ,  H03F3/19 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/451 ,  H01L2924/00012 ,  H01L29/737 ,  H01L29/66242

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体装置。在包括由多个单位晶体管构成的HBT的化合物半导体装置中，使热阻降低。化合物半导体装置具备包括多个单位晶体管的异质结双极晶体管和与多个单位晶体管的发射极电连接的凸块，多个单位晶体管沿第1方向排列，凸块在多个单位晶体管的发射极上沿第1方向延伸配置，多个单位晶体管中的至少一个单位晶体管的发射极从凸块的第1方向上的中心线向与第1方向垂直的第2方向上的一侧偏移配置，多个单位晶体管中的其他至少一个单位晶体管的发射极从凸块的第1方向上的中心线向第2方向上的另一侧偏移配置。