半导体器件及功率放大器

    公开(公告)号:CN101053151B

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:CN200580037810.3

    申请日:2005-09-28

    IPC分类号: H03F3/68 H03F3/21 H03F1/52

    摘要: 在输入端子(Rfin)和输出端子(Rfout)之间并联连接多个放大电路(2)以构成半导体器件(1)。此外,放大电路(2)由HBT(3)、在输入端子(Rfin)和HBT(3)的基极(B)之间连接的振荡稳定电路(4)、在偏置端子(Bin)和HBT(3)的基极(B)之间连接的镇流电阻(5)构成。此外,通过并联连接电阻(6)和电容器(7)构成振荡稳定电路(4)。由此,在能够使用镇流电阻(5)防止HBT(3)的热失控的同时,还能够使用振荡稳定电路(4)提高包含低频侧的振荡的稳定性。

    半导体器件及功率放大器

    公开(公告)号:CN101053151A

    公开(公告)日:2007-10-10

    申请号:CN200580037810.3

    申请日:2005-09-28

    IPC分类号: H03F3/68 H03F3/21 H03F1/52

    摘要: 在输入端子(Rfin)和输出端子(Rfout)之间并联连接多个放大电路(2)以构成半导体器件(1)。此外,放大电路(2)由HBT(3)、在输入端子(Rfin)和HBT(3)的基极(B)之间连接的振荡稳定电路(4)、在偏置端子(Bin)和HBT(3)的基极(B)之间连接的镇流电阻(5)构成。此外,通过并联连接电阻(6)和电容器(7)构成振荡稳定电路(4)。由此,在能够使用镇流电阻(5)防止HBT(3)的热失控的同时,还能够使用振荡稳定电路(4)提高包含低频侧的振荡的稳定性。