集成器件和制造集成器件的方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118693063A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410343661.8

    申请日:2024-03-25

    Abstract: 本发明提供了集成器件和制造集成器件的方法,该集成器件包括:基板(101);在基板上方的金属屏障层(102);包括阳极氧化金属(104)的多孔区域的层(ML),多孔区域包括多个基本上直的孔(105),这些孔(105)从多孔区域的顶表面垂直于多孔区域的顶表面朝向金属屏障层延伸以便到达金属屏障层的;其中,多孔区域包括由外围孔包围的通向金属屏障层的孔的区,外围孔在其底端处由金属屏障的氧化物封堵物封堵;多孔区域还包括在其底端被金属屏障的氧化物封堵物封堵的孔的岛,和/或在其底端被金属屏障的氧化物封堵物封堵的孔的突起。

    包括使用蚀刻掩模限定切割线的获得集成器件的方法

    公开(公告)号:CN118099094A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202311584870.3

    申请日:2023-11-24

    Abstract: 本发明提供了一种包括使用蚀刻掩模限定切割线的获得集成器件的方法。一种用于获得集成器件的方法,包括:在衬底上方形成金属屏障层(102);在金属屏障层上形成可阳极氧化金属层;对可阳极氧化金属层的第一区域和第二区域进行阳极氧化,以分别获得第一多孔区域(PRA)和第二多孔区域(PRB),该第一多孔区域(PRA)和该第二多孔区域(PRB)两者包括从多孔区域的顶表面垂直于多孔区域的顶表面向金属屏障层延伸的多个基本上直的孔(105);在至少第一多孔区域(PRA)上方形成蚀刻掩模(107),该蚀刻掩模(107)在第二多孔区域上方具有开口(OP);通过蚀刻掩模的开口对第二多孔区域的孔的底端进行蚀刻,以获得形成器件区域的孔、以及形成切割线的第一多孔区域中的孔,该集成器件至少由切割线限定。

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