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公开(公告)号:CN118693063A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410343661.8
申请日:2024-03-25
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供了集成器件和制造集成器件的方法,该集成器件包括:基板(101);在基板上方的金属屏障层(102);包括阳极氧化金属(104)的多孔区域的层(ML),多孔区域包括多个基本上直的孔(105),这些孔(105)从多孔区域的顶表面垂直于多孔区域的顶表面朝向金属屏障层延伸以便到达金属屏障层的;其中,多孔区域包括由外围孔包围的通向金属屏障层的孔的区,外围孔在其底端处由金属屏障的氧化物封堵物封堵;多孔区域还包括在其底端被金属屏障的氧化物封堵物封堵的孔的岛,和/或在其底端被金属屏障的氧化物封堵物封堵的孔的突起。
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公开(公告)号:CN118099094A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202311584870.3
申请日:2023-11-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供了一种包括使用蚀刻掩模限定切割线的获得集成器件的方法。一种用于获得集成器件的方法,包括:在衬底上方形成金属屏障层(102);在金属屏障层上形成可阳极氧化金属层;对可阳极氧化金属层的第一区域和第二区域进行阳极氧化,以分别获得第一多孔区域(PRA)和第二多孔区域(PRB),该第一多孔区域(PRA)和该第二多孔区域(PRB)两者包括从多孔区域的顶表面垂直于多孔区域的顶表面向金属屏障层延伸的多个基本上直的孔(105);在至少第一多孔区域(PRA)上方形成蚀刻掩模(107),该蚀刻掩模(107)在第二多孔区域上方具有开口(OP);通过蚀刻掩模的开口对第二多孔区域的孔的底端进行蚀刻,以获得形成器件区域的孔、以及形成切割线的第一多孔区域中的孔,该集成器件至少由切割线限定。
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公开(公告)号:CN112005348B
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN201980027615.4
申请日:2019-04-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/3065 , H10D1/66 , H10D1/68 , H10D62/10 , H10D84/40 , H10D84/00 , H01L21/308
Abstract: 一种电子产品,包括具有第一电极的部件,该第一电极包括第一表面(103)和在第一方向上从第一表面延伸的柱(104),该柱包括三个突出部(106、107、108),该三个突出部围绕柱的中心线(105)彼此形成约120度的角度,其中所述三个突出部在所述柱的中心线(105)处相接,并且三个突出部弯曲成使得柱在垂直于第一方向的平面中具有三曲腿截面。本发明还涉及包括电子产品的系统以及用于制造该电子产品的方法。
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公开(公告)号:CN112005348A
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN201980027615.4
申请日:2019-04-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/3065 , H01L29/66 , H01L29/94 , H01L49/02 , H01L29/06 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L21/308
Abstract: 一种电子产品,包括具有第一电极的部件,该第一电极包括第一表面(103)和在第一方向上从第一表面延伸的柱(104),该柱包括三个突出部(106、107、108),该三个突出部围绕柱的中心线(105)彼此形成约120度的角度,其中所述三个突出部在所述柱的中心线(105)处相接,并且三个突出部弯曲成使得柱在垂直于第一方向的平面中具有三曲腿截面。本发明还涉及包括电子产品的系统以及用于制造该电子产品的方法。
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