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公开(公告)号：CN1041256C
公开(公告)日：1998-12-16
申请号：CN94190413.X
申请日：1994-06-29
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P1/387
Abstract: 本发明的目的是制取一种无论匹配电容值有多大都可加以小型化的不可逆电路元件。环行器1具有中心电极16a和用以形成匹配电容的多层基片3。多层基片3是通过将配备有中心电极或匹配电容电极的绝缘片彼此堆叠起来然后整体烧制构成的。匹配电容是通过将多个由一对电容电极固定的绝缘片堆叠起来形成的堆叠式电容部件并联起来构成的。在多层基片3的上表面面对中心电极16a的位置开有一个用以承接铁氧体构件4的第一凹口26和一个用以承接永久磁铁5的第二凹口25，铁氧体构件4和永久磁铁5就分别装入这两个凹口中。
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公开(公告)号：CN1306603C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN03159328.3
申请日：2003-09-04
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K1/0265 , H01L23/49805 , H01L23/49822 , H01L2224/32225 , H05K1/02 , H05K1/0298 , H05K1/183 , H05K3/4629 , H05K2201/0769 , H05K2201/09781 , H05K2201/0979 , Y10T428/24322
Abstract: 在将多个绝缘层层叠的层叠体的外表面上设置外部导体膜的层叠型电子元器件中，在紧靠外部电极的下面的绝缘层产生裂纹时，由于外部导体膜与内部导体膜之间所加的直流偏置，有时将产生电位移，导致短路或泄漏等不良情况。隔着绝缘层23设置与外部导体膜32同电位的辅助导体膜42，使其与外部导体膜32相对，同时利用通孔导体43将辅助导体膜42与外部导体膜32相互进行电气连接，这样相互成为同电位。
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公开(公告)号：CN1505135A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN03159328.3
申请日：2003-09-04
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K1/0265 , H01L23/49805 , H01L23/49822 , H01L2224/32225 , H05K1/02 , H05K1/0298 , H05K1/183 , H05K3/4629 , H05K2201/0769 , H05K2201/09781 , H05K2201/0979 , Y10T428/24322
Abstract: 在将多个绝缘层层叠的层叠体的外表面上设置外部导体膜的层叠型电子元器件中，在紧靠外部电极的下面的绝缘层产生裂纹时，由于外部导体膜与内部导体膜之间所加的直流偏置，有时将产生电位移，导致短路或泄漏等不良情况。隔着绝缘层23设置与外部导体膜32同电位的辅助导体膜42，使其与外部导体膜32相对，同时利用通孔导体43将辅助导体膜42与外部导体膜32相互进行电气连接，这样相互成为同电位。
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公开(公告)号：CN1111075A
公开(公告)日：1995-11-01
申请号：CN94190413.X
申请日：1994-06-29
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P1/387
Abstract: 本发明的目的是制取一种无论匹配电容值有多大都可加以小型化的不可逆电路元件。环行器1具有中心电极16a和用以形成匹配电容的多层基片3。多层基片3是通过将配备有中心电极或匹配电容电极的绝缘片彼此推叠起来然后整体烧制构成的。匹配电容是通过将多个由一对电容电极固定的绝缘片堆叠起来形成的堆叠式电容部件并联起来构成的。在多层基片3的上表面面对中心电极16a的位置开有一个用以承接铁氧体构件4的第一凹口26和一个用以承接永久磁铁5的第二凹口25，铁氧体构件4和永久磁铁5就分别装入这两个凹口中。
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