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公开(公告)号：CN114667621B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201980102022.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01M8/1097 , H01M8/1286
Abstract: 本发明的目的在于提供一种维持燃料电池单元的发电效率且电解质膜不易产生破损的高可靠性的燃料电池单元。本发明的燃料电池单元在与支撑基板相比靠上方的位置具备覆盖开口部的应力调整层，所述应力调整层对所述支撑基板具有拉伸应力，且具有晶界沿着与膜厚方向平行的方向延伸的柱状晶体结构(参照图2)。
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公开(公告)号：CN115516676A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202080099981.3
申请日：2020-05-13
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01M8/1097 , H01M8/12 , H01M8/1286
Abstract: 燃料电池单体(1)具备硅基板(2)、多孔质的支撑材料层(5)、多个孔(60)或柱(40)和层叠体。层叠体具备上部电极层(10)、固体电解质层(100)和下部电极层(20)。上部电极层(10)还形成于与硅基板(2)的主面平行的面，以使得与形成于多个孔(60)或柱(40)形成的上部电极层(10)连续，或者下部电极层(20)还形成于与硅基板(2)的主面平行的面，以使得与形成于多个孔(60)或柱(40)的下部电极层(20)连续。在多个孔(60)或柱(40)的至少上端部以及下端部，通过多孔质的支撑材料层(5)来支承层叠体。
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公开(公告)号：CN113994453B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202180002514.9
申请日：2021-05-13
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , G06N20/00
Abstract: 提供半导体制造装置系统以及半导体装置制造方法，用于在半导体器件的制造工序中减少带来坏影响的异物。半导体装置制造系统具备半导体制造装置和经由网络与所述半导体制造装置连接并执行异物减少处理平台，半导体装置制造系统中的所述异物减少处理具有如下步骤：使用由所述半导体制造装置进行了处理的样品来取得异物特性值；通过机器学习，基于所取得的所述异物特性值和相关数据来确定起因于异物产生的所述半导体制造装置的部件；基于所确定的所述部件来规定用于清洁所述半导体制造装置的清洁条件；以及使用所规定的所述清洁条件来清洁所述半导体制造装置，所述相关数据是预先取得的所述异物特性值与所述部件的相关数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113678293A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201980095297.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01M8/1286 , H01M8/02 , H01M8/04537 , H01M8/04664 , H01M8/04746 , H01M8/04955 , H01M8/12 , H01M8/1213 , H01M8/1226
Abstract: 本发明的目的在于提供一种燃料电池系统，其通过在燃料电极气体或空气电极气体泄漏时对其高精度地检测，从而提高了可靠性。参照图3，本发明的燃料电池单元在支承基板上层叠了第一电极、电解质膜、第二电极，并且通过绝缘部件将所述第一电极、所述电解质膜及所述第二电极中的至少任一个电分离而形成第一区域和第二区域，所述绝缘部件配置在所述支承基板上不与开口部分重叠的位置。
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公开(公告)号：CN114600286B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201980101696.8
申请日：2019-11-07
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01M8/12 , H01M8/1213 , H01M8/1286
Abstract: 本发明的目的在于提供一种燃料电池单元，为高发电输出，在确保燃料电池单元的机械强度的同时增大有助于发电的有效发电区域的面积。本发明的燃料电池单元在支撑基板与第一电极之间具备第一绝缘膜和第二绝缘膜，所述支撑基板具有第一开口部，所述第一绝缘膜具有第二开口部，所述第二绝缘膜具有第三开口部，所述第一开口部的开口面积大于所述第二开口部的开口面积，所述第三开口部的开口面积大于所述第二开口部的开口面积，参照图2。
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公开(公告)号：CN114600286A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201980101696.8
申请日：2019-11-07
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01M8/12 , H01M8/1213 , H01M8/1286
Abstract: 本发明的目的在于提供一种燃料电池单元，为高发电输出，在确保燃料电池单元的机械强度的同时增大有助于发电的有效发电区域的面积。本发明的燃料电池单元在支撑基板与第一电极之间具备第一绝缘膜和第二绝缘膜，所述支撑基板具有第一开口部，所述第一绝缘膜具有第二开口部，所述第二绝缘膜具有第三开口部，所述第一开口部的开口面积大于所述第二开口部的开口面积，所述第三开口部的开口面积大于所述第二开口部的开口面积，参照图2。
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公开(公告)号：CN114667621A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201980102022.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01M8/1097 , H01M8/1286
Abstract: 本发明的目的在于提供一种维持燃料电池单元的发电效率且电解质膜不易产生破损的高可靠性的燃料电池单元。本发明的燃料电池单元在与支撑基板相比靠上方的位置具备覆盖开口部的应力调整层，所述应力调整层对所述支撑基板具有拉伸应力，且具有晶界沿着与膜厚方向平行的方向延伸的柱状晶体结构(参照图2)。
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公开(公告)号：CN113994453A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202180002514.9
申请日：2021-05-13
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , G06N20/00
Abstract: 提供半导体制造装置系统以及半导体装置制造方法，用于在半导体器件的制造工序中减少带来坏影响的异物。半导体装置制造系统具备半导体制造装置和经由网络与所述半导体制造装置连接并执行异物减少处理平台，半导体装置制造系统中的所述异物减少处理具有如下步骤：使用由所述半导体制造装置进行了处理的样品来取得异物特性值；通过机器学习，基于所取得的所述异物特性值和相关数据来确定起因于异物产生的所述半导体制造装置的部件；基于所确定的所述部件来规定用于清洁所述半导体制造装置的清洁条件；以及使用所规定的所述清洁条件来清洁所述半导体制造装置，所述相关数据是预先取得的所述异物特性值与所述部件的相关数据。
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