公开(公告)号：CN113994453B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202180002514.9

申请日：2021-05-13

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 荒卷彻 ,  齐藤刚 ,  米田健一郎 ,  榎本祐治 ,  堤贵志

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  G06N20/00

Abstract: 提供半导体制造装置系统以及半导体装置制造方法，用于在半导体器件的制造工序中减少带来坏影响的异物。半导体装置制造系统具备半导体制造装置和经由网络与所述半导体制造装置连接并执行异物减少处理平台，半导体装置制造系统中的所述异物减少处理具有如下步骤：使用由所述半导体制造装置进行了处理的样品来取得异物特性值；通过机器学习，基于所取得的所述异物特性值和相关数据来确定起因于异物产生的所述半导体制造装置的部件；基于所确定的所述部件来规定用于清洁所述半导体制造装置的清洁条件；以及使用所规定的所述清洁条件来清洁所述半导体制造装置，所述相关数据是预先取得的所述异物特性值与所述部件的相关数据。

公开(公告)号：CN113994453A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202180002514.9

申请日：2021-05-13

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 荒卷彻 ,  齐藤刚 ,  米田健一郎 ,  榎本祐治 ,  堤贵志

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  G06N20/00

Abstract: 提供半导体制造装置系统以及半导体装置制造方法，用于在半导体器件的制造工序中减少带来坏影响的异物。半导体装置制造系统具备半导体制造装置和经由网络与所述半导体制造装置连接并执行异物减少处理平台，半导体装置制造系统中的所述异物减少处理具有如下步骤：使用由所述半导体制造装置进行了处理的样品来取得异物特性值；通过机器学习，基于所取得的所述异物特性值和相关数据来确定起因于异物产生的所述半导体制造装置的部件；基于所确定的所述部件来规定用于清洁所述半导体制造装置的清洁条件；以及使用所规定的所述清洁条件来清洁所述半导体制造装置，所述相关数据是预先取得的所述异物特性值与所述部件的相关数据。