公开(公告)号：CN107710787B

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201680038034.7

申请日：2016-05-16

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 町田俊太郎 ,  峰利之 ,  藤崎耕司 ,  竹崎泰一 ,  龙崎大介

IPC: H04R19/00 ,  A61B8/00 ,  G01N29/06 ,  G01N29/24 ,  H04R1/40

Abstract: 在静电电容检测型的超声波换能器中，由于超声波换能器的单元阵列的各单元的膜状物的膜厚偏差，导致单元阵列内的单元的器件特性变得不均匀。超声波换能器具备CMUT芯片(301)，CMUT芯片(301)包括：形成有多个单元的单元阵列区域CAR；以及与单元阵列区域CAR相邻接的周边区域PER，在单元阵列区域CAR配置梁结构体(201)，并且在周边区域PER配置相当于梁结构体(201)的多个图案结构体(311)。由此，将单元阵列区域CAR的单位表面积和周边区域PER的单位表面积的差减小。其结果，能够提高覆盖梁结构体(201)和图案结构体(311)的绝缘膜的膜厚的均匀性。

公开(公告)号：CN109152568A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780027702.0

申请日：2017-07-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 竹崎泰一 ,  町田俊太郎 ,  龙崎大介 ,  吉村保广 ,  永田达也 ,  山下尚昭

IPC: A61B8/14

Abstract: 电容检测型超声波换能器(111A)具备硅基板(101)、形成于硅基板(101)上的绝缘膜(102)、下部电极(103)、绝缘膜(104、106)、由在绝缘膜(106)的一部分所形成的空隙构成的空洞部(105)、上部电极(107)、绝缘膜(108、114)以及保护膜(109)。另外，空洞部(105)的上部的绝缘膜(106)、上部电极(107)、绝缘膜(108)、以及绝缘膜(114)构成振动膜(110)，振动膜(110)的上部的保护膜(109)被分割成隔开固定间隔的间隙(115)而规则性地排列的多个独立图案。

公开(公告)号：CN108886660B

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201780021776.3

申请日：2017-07-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川浩章 ,  町田俊太郎 ,  竹崎泰一 ,  龙崎大介

IPC: H04R19/00 ,  A61B8/14 ,  H04R31/00

Abstract: 超声波换能器具有空洞部(110)和隔膜(120)，空洞部(110)形成于被基板(101)上的下部电极(103)和上部电极(107)夹着的绝缘膜(104)、(106)之间，隔膜(120)由空洞部(110)的上方的绝缘膜(106、108、111、112)及上部电极(107)构成，并且在发送/接收超声波时振动。另外，空洞部(110)在将中心部的厚度设为h1且将外周部的厚度设为h2时，具有满足h1＞h2＞0的关系的截面形状。

公开(公告)号：CN108886660A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021776.3

申请日：2017-07-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川浩章 ,  町田俊太郎 ,  竹崎泰一 ,  龙崎大介

IPC: H04R19/00 ,  A61B8/14 ,  H04R31/00

Abstract: 超声波换能器具有空洞部(110)和隔膜(120)，空洞部(110)形成于被基板(101)上的下部电极(103)和上部电极(107)夹着的绝缘膜(104)、(106)之间，隔膜(120)由空洞部(110)的上方的绝缘膜(106、108、111、112)及上部电极(107)构成，并且在发送/接收超声波时振动。另外，空洞部(110)在将中心部的厚度设为h1且将外周部的厚度设为h2时，具有满足h1＞h2＞0的关系的截面形状。

公开(公告)号：CN113740617B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202110285017.6

申请日：2021-03-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 朴泽一幸 ,  竹崎泰一

IPC: G01R29/08

Abstract: 本发明提供能够提高半导体检测器的性能的技术。在半导体检测器中，将在以倒装芯片的方式连接后的半导体芯片(CHP1)与半导体芯片(CHP2)之间的间隙填充底部填充物(40)作为前提，在读取电极焊盘(PD1)与栅极端子(20)的经由凸块电极(BMP1)的连接构造的周围不形成底部填充物(40)。

公开(公告)号：CN110871157A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910223100.3

申请日：2019-03-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长谷川浩章 ,  今川健吾 ,  町田俊太郎 ,  竹崎泰一

IPC: B06B1/06

Abstract: 本发明提供一种超声波换能器阵列以及超声波探测器，提高具备多个具有作为在上部电极以及下部电极之间具有间隙的CMUT的单元的电容器的超声波换能器阵列的性能。将电连接于作为搭载于芯片的CMUT的单元的电容器(C2)、根据多个排列的波道数量将作为保护增幅电路的(DC)部件用电容器使用的电容器(C1)形成于该芯片内。电容器(C1)是不会音频性地振动的静电容量元件。

公开(公告)号：CN113740617A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110285017.6

申请日：2021-03-17

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 朴泽一幸 ,  竹崎泰一

IPC: G01R29/08

Abstract: 本发明提供能够提高半导体检测器的性能的技术。在半导体检测器中，将在以倒装芯片的方式连接后的半导体芯片(CHP1)与半导体芯片(CHP2)之间的间隙填充底部填充物(40)作为前提，在读取电极焊盘(PD1)与栅极端子(20)的经由凸块电极(BMP1)的连接构造的周围不形成底部填充物(40)。

公开(公告)号：CN109222892A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201810216092.5

申请日：2018-03-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田中智彦 ,  竹崎泰一 ,  今井亮 ,  濑尾欣穗 ,  松田孝弘 ,  尾上慎介 ,  坂本健 ,  田中喜美夫 ,  川村龙 ,  濑谷善恭 ,  渡边裕

IPC: A61B5/00 ,  A61N5/067

Abstract: 本发明提供一种光声型导管系统以及光声型导管控制方法，使得基于声学型导管的治疗变得容易。光声型导管系统特征在于，具有：产生摄像用的激光即摄像用激光(R1)的摄像用激光产生装置(2)；产生治疗用的激光即治疗用激光(R2)的治疗用激光产生装置(3)；进行驱动来相对于导管的行进方向在给定的方向上照射摄像用激光(R1)以及治疗用激光(R2)的驱动部(19)；接收通过照射摄像用激光(R1)而产生的声波的声学元件部(18)；和治疗用激光控制装置(7)，治疗用激光控制装置(7)使摄像用激光(R1)和治疗用激光(R2)同步且方向一致地射出。

公开(公告)号：CN107710787A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680038034.7

申请日：2016-05-16

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 町田俊太郎 ,  峰利之 ,  藤崎耕司 ,  竹崎泰一 ,  龙崎大介

IPC: H04R19/00 ,  A61B8/00 ,  G01N29/06 ,  G01N29/24 ,  H04R1/40

Abstract: 在静电电容检测型的超声波换能器中，由于超声波换能器的单元阵列的各单元的膜状物的膜厚偏差，导致单元阵列内的单元的器件特性变得不均匀。超声波换能器具备CMUT芯片(301)，CMUT芯片(301)包括：形成有多个单元的单元阵列区域CAR；以及与单元阵列区域CAR相邻接的周边区域PER，在单元阵列区域CAR配置梁结构体(201)，并且在周边区域PER配置相当于梁结构体(201)的多个图案结构体(311)。由此，将单元阵列区域CAR的单位表面积和周边区域PER的单位表面积的差减小。其结果，能够提高覆盖梁结构体(201)和图案结构体(311)的绝缘膜的膜厚的均匀性。