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公开(公告)号:CN107710787B
公开(公告)日:2019-12-06
申请号:CN201680038034.7
申请日:2016-05-16
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 在静电电容检测型的超声波换能器中,由于超声波换能器的单元阵列的各单元的膜状物的膜厚偏差,导致单元阵列内的单元的器件特性变得不均匀。超声波换能器具备CMUT芯片(301),CMUT芯片(301)包括:形成有多个单元的单元阵列区域CAR;以及与单元阵列区域CAR相邻接的周边区域PER,在单元阵列区域CAR配置梁结构体(201),并且在周边区域PER配置相当于梁结构体(201)的多个图案结构体(311)。由此,将单元阵列区域CAR的单位表面积和周边区域PER的单位表面积的差减小。其结果,能够提高覆盖梁结构体(201)和图案结构体(311)的绝缘膜的膜厚的均匀性。
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公开(公告)号:CN107710787A
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201680038034.7
申请日:2016-05-16
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 在静电电容检测型的超声波换能器中,由于超声波换能器的单元阵列的各单元的膜状物的膜厚偏差,导致单元阵列内的单元的器件特性变得不均匀。超声波换能器具备CMUT芯片(301),CMUT芯片(301)包括:形成有多个单元的单元阵列区域CAR;以及与单元阵列区域CAR相邻接的周边区域PER,在单元阵列区域CAR配置梁结构体(201),并且在周边区域PER配置相当于梁结构体(201)的多个图案结构体(311)。由此,将单元阵列区域CAR的单位表面积和周边区域PER的单位表面积的差减小。其结果,能够提高覆盖梁结构体(201)和图案结构体(311)的绝缘膜的膜厚的均匀性。
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