公开(公告)号：CN1004736B

公开(公告)日：1989-07-05

申请号：CN85108969

申请日：1985-10-16

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡边笃雄 ,  长野隆洋 ,  池田隆英 ,  门马直弘 ,  斋藤隆一

IPC: H01L29/28 ,  H01L29/72 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/763 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092

Abstract: 一具有n型和P型陷井区的单片互补半导体器件，其n型和P型陷井区是由介电隔离区从表面延伸到衬底分离开的。陷井区包括在其底部的高掺杂的埋层区，并将陷井中的有源区与衬底区分离开。隔离区比埋层区深。陷井到陷井的隔离是由埋层区和深解电隔离区的结合增强的，封装密度和工作速度也可得到改善。

公开(公告)号：CN85108969A

公开(公告)日：1986-05-10

申请号：CN85108969

申请日：1985-10-16

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡边笃雄 ,  长野隆洋 ,  池田隆英 ,  门马直弘 ,  斋藤隆一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/72 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/763 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092

Abstract: 一具有n型和P型陷井区的单片互补半导体器件，其n型和P型陷井区是由介电隔离区从表面延伸到衬底分离开的。陷井区包括在其底部的高掺杂的埋层区，并将陷井中的有源区与衬底区分离开。隔离区比埋层区深。陷井到陷井的隔离是由埋层区和深解电隔离区的结合增强的，封装密度和工作速度也可得到改善。