公开(公告)号：CN102668039B

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201080053967.6

申请日：2010-09-09

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 工藤利雄 ,  小林直之 ,  佐野一也 ,  清野俊明 ,  丰田充启

IPC: H01S3/10 ,  H01L21/268 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/352 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供一种激光退火装置及激光退火方法，通过激光退火，能够有效地对热容量较大的厚硅晶片等基板进行杂质激活处理等热处理。该激光退火装置（1）对基板（30）的表面进行热处理，包括：脉冲振荡激光光源（10），该脉冲振荡激光光源（10）产生上升时间缓慢且脉宽较长的脉冲激光；连续振荡激光光源（20），该连续振荡激光光源（20）产生对退火进行辅助的近红外激光；光学系统（12、22），该光学系统（12、22）对所述2种激光的光束（15、25）分别进行整形并引导至所述基板（30）的表面进行照射；以及移动装置（3），该移动装置（3）使所述基板（30）和所述激光束（15、25）进行相对移动，使得所述两种激光束的复合照射能够进行扫描，从而能够充分确保光入侵长度和热扩散长度，对于热容量较大的厚半导体基板中的杂质能够进行深度激活。

公开(公告)号：CN102668039A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080053967.6

申请日：2010-09-09

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 工藤利雄 ,  小林直之 ,  佐野一也 ,  清野俊明 ,  丰田充启

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/352 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供一种激光退火装置及激光退火方法，通过激光退火，能够有效地对热容量较大的厚硅晶片等基板进行杂质激活处理等热处理。该激光退火装置（1）对基板（30）的表面进行热处理，包括：脉冲振荡激光光源（10），该脉冲振荡激光光源（10）产生上升时间缓慢且脉宽较长的脉冲激光；连续振荡激光光源（20），该连续振荡激光光源（20）产生对退火进行辅助的近红外激光；光学系统（12、22），该光学系统（12、22）对所述2种激光的光束（15、25）分别进行整形并引导至所述基板（30）的表面进行照射；以及移动装置（3），该移动装置（3）使所述基板（30）和所述激光束（15、25）进行相对移动，使得所述2种激光束的复合照射能够进行扫描，从而能够充分确保光入侵长度和热扩散长度，对于热容量较大的厚半导体基板中的杂质能够进行深度激活。

公开(公告)号：CN103155106B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201280003296.1

申请日：2012-06-04

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 小林直之 ,  山口芳广 ,  清野俊明 ,  工藤利雄

IPC: H01L21/268 ,  B23K26/064 ,  B23K26/073 ,  B23K26/08 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/082 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明能够用低成本的装置结构、以较高的控制性能对晶圆等被处理体照射可见激光和近红外激光，能以较高的生产率对被处理体进行激光处理。激光处理装置包括：输出可见激光的可见激光光源（G1）；传导可见光激光的可见光光学系统（GS）(光纤（G2）和准直透镜（G3）)；输出近红外激光的近红外激光光源（R1）；传导近红外激光的近红外光光学系统RS(光纤（R2）、聚光透镜（R3）、光纤（R4）和准直透镜（R5）)；以及使由可见光光学系统GS传导的可见激光和由近红外光光学系统（RS）传导的近红外激光进行合波，并将其传导至被处理体（1）的合波光学系统（MS）(分色镜（M1）、电流计镜（M2）和fθ透镜（M3）)。

公开(公告)号：CN103155106A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201280003296.1

申请日：2012-06-04

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 小林直之 ,  山口芳广 ,  清野俊明 ,  工藤利雄

IPC: H01L21/268 ,  B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  B23K26/08 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/032 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/082 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明能够用低成本的装置结构、以较高的控制性能对晶圆等被处理体照射可见激光和近红外激光，能以较高的生产率对被处理体进行激光处理。激光处理装置包括：输出可见激光的可见激光光源（G1）；传导可见光激光的可见光光学系统（GS）(光纤（G2）和准直透镜（G3）)；输出近红外激光的近红外激光光源（R1）；传导近红外激光的近红外光光学系统RS(光纤（R2）、聚光透镜（R3）、光纤（R4）和准直透镜（R5）)；以及使由可见光光学系统GS传导的可见激光和由近红外光光学系统（RS）传导的近红外激光进行合波，并将其传导至被处理体（1）的合波光学系统（MS）(分色镜（M1）、电流计镜（M2）和fθ透镜（M3）)。