薄膜的成膜方法和成膜装置

    公开(公告)号:CN105307784B

    公开(公告)日:2018-01-16

    申请号:CN201580000240.4

    申请日:2015-05-01

    IPC分类号: B05D3/12 B05C9/10

    摘要: 本发明提供一种以低成本成膜出具备耐久性的薄膜的方法。该成膜方法使用成膜装置(1)。该装置(1)包括:基板(100)配置于内部下方的真空容器(11)、对该容器(11)内进行排气的真空泵(15)、设置于容器(11)外部且储藏成膜剂溶液(21)的储藏容器(23)、一端具有成为可排出成膜剂溶液(21)的排出部(19)的喷嘴(17)、加压储藏容器(23)内所储藏的成膜剂溶液(21)的液面的加压单元(气体供给源(29)等)。使用由2种以上材料构成的溶液作为成膜剂溶液(21),所述溶液包含第1材料(S1)和具有高于该S1的蒸汽压(P1)的蒸汽压(P2)的第2材料(S2),且第1材料的浓度为0.01重量%以上。对于该成膜剂溶液(21),在P2以上的压力(其中,不包括高于P2一个数量级以上的压力)的气氛下,以0.05~0.3MPa的排出压将其排出至基板上。

    成膜方法和成膜装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103154298A

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201280003215.8

    申请日:2012-08-02

    IPC分类号: C23C14/02 C23C14/22

    摘要: 本发明提供可有效地进行防污膜的成膜的成膜装置,该防污膜的耐磨耗性能不但可耐实用而且耐磨耗性能也进一步得到提高。本发明的成膜装置(1)为将具有用于保持两个以上基板(14)的基体保持面的基板支架(12)可旋转地配设在真空容器(10)内的成膜装置(1),其中,该成膜装置(1)是具有离子源(38)以及作为成膜单元的蒸镀源(34)和限制板(36)的构成,所述离子源(38)按照可向着上述基体保持面的一部分区域照射离子束这样的构成、配置和/或朝向被设置在真空容器(10)内,所述作为成膜单元的蒸镀源(34)和限制板(36)按照可向着作为上述基体保持面的一部分且与基于离子源(38)的离子束的照射区域的至少一部分重复的区域来供给成膜材料这样的构成被设置在真空容器(10)内。

    薄膜的成膜方法和成膜装置

    公开(公告)号:CN105307784A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201580000240.4

    申请日:2015-05-01

    IPC分类号: B05D3/12 B05C9/10

    摘要: 本发明提供一种以低成本成膜出具备耐久性的薄膜的方法。该成膜方法使用成膜装置(1)。该装置(1)包括:基板(100)配置于内部下方的真空容器(11)、对该容器(11)内进行排气的真空泵(15)、设置于容器(11)外部且储藏成膜剂溶液(21)的储藏容器(23)、一端具有成为可排出成膜剂溶液(21)的排出部(19)的喷嘴(17)、加压储藏容器(23)内所储藏的成膜剂溶液(21)的液面的加压单元(气体供给源(29)等)。使用由2种以上材料构成的溶液作为成膜剂溶液(21),所述溶液包含第1材料(S1)和具有高于该S1的蒸汽压(P1)的蒸汽压(P2)的第2材料(S2),且第1材料的浓度为0.01重量%以上。对于该成膜剂溶液(21),在P2以上的压力(其中,不包括高于P2一个数量级以上的压力)的气氛下,以0.05~0.3MPa的排出压将其排出至基板上。

    成膜方法和成膜装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103154299A

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201280003216.2

    申请日:2012-09-26

    IPC分类号: C23C14/02 C23C14/22

    摘要: 本发明提供一种能够高效地进行防污膜的成膜的成膜装置,该防污膜不但可耐实用而且耐磨耗性能也进一步得到提高。其是基板支架12可旋转地配设在真空容器10内的成膜装置1,所述基板支架12具有用于保持2个以上基板的基体保持面,成膜装置1的构成为具有蒸镀源34和离子源38,其中,所述蒸镀源34按照如下构成配置在真空容器10内:使其向旋转停止时的基板支架12工作的情况下,能够对所述基体保持面的部分区域即第1区域(A3)供给比该第1区域以外的其他区域(残余区域)更多量的成膜材料;所述离子源38按照如下构成、配置和/或朝向设置在所述真空容器10内:使其向旋转停止时的基板支架12工作的情况下,能够仅向着该基体保持面的部分区域即第2区域(A2)照射能量粒子。

    成膜装置及成膜方法
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108690954B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201710229298.7

    申请日:2017-04-10

    IPC分类号: C23C14/24 C23C14/54

    摘要: 本发明公开一种成膜装置及成膜方法,其用于形成薄膜,所述成膜装置包括:真空腔室;排气机构,其与所述真空腔室相通以进行排气;基板保持机构,其用于将基板保持在所述真空腔室内;成膜机构,其设置于所述真空腔室内;导入机构,其与所述真空腔室相连通;所述导入机构能够在所述成膜机构的成膜过程中向所述真空腔室内导入含羟基气体。