公开(公告)号：CN119771644A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411377939.X

申请日：2024-09-30

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 伊藤明 ,  永井泰彦 ,  秋山刚志 ,  山本滋 ,  岩田敬次 ,  枝光建治

IPC: B05B13/02 ,  B05B16/20 ,  B05D3/04 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，具备：多个第一雾喷嘴，其设置在腔室内，并以预先设定的第二间隔沿着多张基板的排列而配置；以及多个第二雾喷嘴，其设置在腔室内，并以第二间隔沿着多张基板的排列而配置。多个第一雾喷嘴在俯视时隔着多张基板配置于多个第二雾喷嘴的相反侧。第一雾喷嘴以及第二雾喷嘴在俯视时以朝向多张基板的方式配置。多个第一雾喷嘴相对于多个第二雾喷嘴在多张基板W的排列方向上错开第二间隔的一半的长度而配置。第一雾喷嘴以及第二雾喷嘴分别喷出雾状以及液滴状中的至少一种液体。

公开(公告)号：CN115116886B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202210026498.3

申请日：2022-01-11

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 伊藤明 ,  山口贵大

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H10H20/01

Abstract: 本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。能通过从配置在绕旋转轴旋转的衬底的一个主面的正下方，且从衬底的端面朝旋转轴侧离开的位置的发光元件射出的光，将衬底的周缘部有效加热，而在短时间内执行处理液的处理。本发明的发光元件以发光面朝向衬底的周缘部的方式，相对于水平面倾斜配置。因此，从发光元件的发光面射出的光照射到衬底的下表面周缘部或其附近区域。

公开(公告)号：CN119673798A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410759517.2

申请日：2024-06-13

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 伊藤明 ,  永井泰彦 ,  秋山刚志 ,  山本滋 ,  岩田敬次

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明涉及基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置的溶剂供给部配置在比处理槽的上表面的开口高的位置，并在俯视时从处理槽的外侧向处理槽的内侧供给雾状的溶剂。控制部在基板浸渍于处理液中时进行溶剂供给动作，即，对腔室内进行减压，并且从溶剂供给部供给雾状的溶剂。当处于对腔室内进行减压且供给溶剂的溶剂供给状态时，控制部使升降器将基板从处理槽内的处理液中取出，之后，通过打开QDR阀而从处理槽排出处理液。在处于溶剂供给状态时，控制部由升降器使基板下降到未贮存处理液的处理槽内的下位置，之后，由升降器使基板上升。

公开(公告)号：CN116805601A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310284735.0

申请日：2023-03-22

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 根本脩平 ,  正司和大 ,  筱原辽太郎 ,  伊藤明 ,  梶野一树

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 在利用遮蔽板覆盖基板的上表面进行保护，并且一边对基板的上表面进行加热，一边向基板的周缘部供给处理液来处理该周缘部的基板处理技术中，良好地处理基板的周缘部。本发明具有气体供给部，该气体供给部通过向设置于遮蔽板的气体吐出喷嘴供给气体，向被基板和遮蔽板夹着的空间吐出气体，形成从基板的中央部朝向径向外侧的气流。该气体供给部被控制成基板的周缘部的气体向排出空间的流速大于零。

公开(公告)号：CN115116886A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210026498.3

申请日：2022-01-11

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 伊藤明 ,  山口贵大

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。能通过从配置在绕旋转轴旋转的衬底的一个主面的正下方，且从衬底的端面朝旋转轴侧离开的位置的发光元件射出的光，将衬底的周缘部有效加热，而在短时间内执行处理液的处理。本发明的发光元件以发光面朝向衬底的周缘部的方式，相对于水平面倾斜配置。因此，从发光元件的发光面射出的光照射到衬底的下表面周缘部或其附近区域。