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公开(公告)号：CN112839901A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980068037.9
申请日：2019-10-29
Applicant: 株式会社德山
IPC: C01B33/02 , C01B33/035 , B29C48/08 , B29C48/10 , B29C48/28 , B29C48/305 , B29C48/32
Abstract: 本发明的目的在于，在利用树脂片进行的多晶硅的防污中，有效防止源自树脂片的多晶硅的污染。本发明的多晶硅的防污方法的特征在于，使用具有内表面和外表面的管状树脂片来对多晶硅进行防污时，将该管状树脂片或其经切割而得的树脂片以不露出其内表面的状态保持，在即将使用之前使上述内表面露出并与多晶硅接触。
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公开(公告)号：CN114206777A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080056738.3
申请日：2020-08-20
Applicant: 株式会社德山
IPC: C01B33/035 , C01B33/03
Abstract: 本发明提供一种有效地降低了多晶硅内部所含的重金属的浓度的多晶硅棒及其制造方法。在多晶硅棒的制造方法中，在对由硅的棒状体构成的芯线进行通电的同时，向所述反应器内供给多晶硅析出用原料气体，使多晶硅在所述芯线的表面气相沉积，在多晶硅棒的制造方法中，在从将所述芯线的表面洁净化后到将所述芯线设置于反应器内的期间，将所述硅芯线置于洁净度被调整为通过ISO14644－1定义的等级4～6的气氛下，由此能得到距所述芯线与在所述芯线的表面析出的多晶硅的界面2mm的区域中的、铁和镍的总金属浓度以元素换算计为40pptw以下的多晶硅棒。
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公开(公告)号：CN113710834A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080026681.2
申请日：2020-04-02
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 一种多晶硅原料，其特征在于，所述多晶硅原料是包含多种多晶硅块的单晶硅制造用多晶硅原料，将在多晶硅原料的主体内存在的施主元素的合计浓度设为Cd1[ppta]、在多晶硅原料的主体内存在的受主元素的合计浓度设为Ca1[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的施主元素的合计浓度设为Cd2[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的受主元素的合计浓度设为Ca2[ppta]时，Cd1、Ca1、Cd2和Ca2满足下述关系：5[ppta]≤(Ca1+Ca2)‑(Cd1+Cd2)≤26[ppta]。
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公开(公告)号：CN102272047A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004156.7
申请日：2010-02-03
Applicant: 株式会社德山
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035
Abstract: 本发明提供一种能够有效地防止从反应容器排出的排气中的磷—硅化合物的生成且能够使包含在排气中的硅烷化合物实现再利用的多晶硅的制造方法。在该多晶硅的制造方法中，向具有竖立设置在电极上的硅芯材的反应容器内供给包含硅烷气体和氢气的反应气体，利用通电将该硅芯材加热到硅的沉积温度，使生成的硅沉积在该硅芯材上而形成多晶硅棒，从反应容器排出反应后的排气，其特征在于，对从反应容器排出的排气进行急速冷却，使得温度从800℃降至500℃的时间为0.1秒以内。
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公开(公告)号：CN114206777B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202080056738.3
申请日：2020-08-20
Applicant: 株式会社德山
IPC: C01B33/035 , C01B33/03
Abstract: 本发明提供一种有效地降低了多晶硅内部所含的重金属的浓度的多晶硅棒及其制造方法。在多晶硅棒的制造方法中，在对由硅的棒状体构成的芯线进行通电的同时，向所述反应器内供给多晶硅析出用原料气体，使多晶硅在所述芯线的表面气相沉积，在多晶硅棒的制造方法中，在从将所述芯线的表面洁净化后到将所述芯线设置于反应器内的期间，将所述硅芯线置于洁净度被调整为通过ISO14644－1定义的等级4～6的气氛下，由此能得到距所述芯线与在所述芯线的表面析出的多晶硅的界面2mm的区域中的、铁和镍的总金属浓度以元素换算计为40pptw以下的多晶硅棒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118360665A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410465650.7
申请日：2020-04-02
Applicant: 株式会社德山
IPC: C30B29/06 , C01B33/02 , C01B33/035 , C01B33/037 , C30B15/00
Abstract: 本发明涉及n型单晶硅的制造方法。将包含多种多晶硅块的多晶硅原料熔融来制造n型单晶硅，所述制造方法包括如下工序：在所述多晶硅原料熔融时不添加掺杂剂，来制造电阻率为10000Ωcm以上的n型单晶硅，作为所述多晶硅原料，使用如下多晶硅原料：将在多晶硅原料的主体内存在的施主元素的合计浓度设为Cd1[ppta]、在多晶硅原料的主体内存在的受主元素的合计浓度设为Ca1[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的施主元素的合计浓度设为Cd2[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的受主元素的合计浓度设为Ca2[ppta]时，所述Cd1、Ca1、Cd2和Ca2满足下述关系：2[ppta]≤(Cd1+Cd2)－(Ca1+Ca2)≤8[ppta]。
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公开(公告)号：CN106660694B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201580039661.8
申请日：2015-09-18
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明的课题在于提供一种包装体，其是在由厚度薄、具体而言300μm以下的厚度的聚乙烯系树脂薄膜形成的袋中填充有多晶硅粉碎物(Si粉碎物)的包装体，其有效地防止由该Si粉碎物导致的袋的破损。根据本发明，提供一种多晶硅包装体，其在由平均厚度为300μm以下的聚乙烯系树脂薄膜形成的袋(1)中填充有Si粉碎物(4)，所述多晶硅包装体的特征在于，袋(1)在底部具有热封接合部(2)，以将袋(1)保持为以底部为接地面的正立状态时的袋(1)的最大伸长率为5％以下的方式，填充Si粉碎物(4)。
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公开(公告)号：CN113661277A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202080026836.2
申请日：2020-04-02
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 一种多晶硅原料，其是包含多种多晶硅块的单晶硅制造用多晶硅原料，将在多晶硅原料的主体内存在的施主元素的合计浓度设为Cd1[ppta]、在多晶硅原料的主体内存在的受主元素的合计浓度设为Ca1[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的施主元素的合计浓度设为Cd2[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的受主元素的合计浓度设为Ca2[ppta]时，Cd1、Ca1、Cd2和Ca2为2[ppta]≤(Cd1+Cd2)‑(Ca1+Ca2)≤8[ppta]。
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公开(公告)号：CN106660694A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580039661.8
申请日：2015-09-18
Applicant: 株式会社德山
CPC classification number: B65D85/30 , B65B29/00 , B65D77/00 , B65D77/04 , B65D77/08 , B65D77/12 , B65D85/00 , B65D85/38
Abstract: 本发明的课题在于提供一种包装体，其是在由厚度薄、具体而言300μm以下的厚度的聚乙烯系树脂薄膜形成的袋中填充有多晶硅粉碎物(Si粉碎物)的包装体，其有效地防止由该Si粉碎物导致的袋的破损。根据本发明，提供一种多晶硅包装体，其在由平均厚度为300μm以下的聚乙烯系树脂薄膜形成的袋(1)中填充有Si粉碎物(4)，所述多晶硅包装体的特征在于，袋(1)在底部具有热封接合部(2)，以将袋(1)保持为以底部为接地面的正立状态时的袋(1)的最大伸长率为5％以下的方式，填充Si粉碎物(4)。
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公开(公告)号：CN102272047B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201080004156.7
申请日：2010-02-03
Applicant: 株式会社德山
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035
Abstract: 本发明提供一种能够有效地防止从反应容器排出的排气中的磷—硅化合物的生成且能够使包含在排气中的硅烷化合物实现再利用的多晶硅的制造方法。在该多晶硅的制造方法中，向具有竖立设置在电极上的硅芯材的反应容器内供给包含硅烷气体和氢气的反应气体，利用通电将该硅芯材加热到硅的沉积温度，使生成的硅沉积在该硅芯材上而形成多晶硅棒，从反应容器排出反应后的排气，其特征在于，对从反应容器排出的排气进行急速冷却，使得温度从800℃降至500℃的时间为0.1秒以内。
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