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公开(公告)号：CN113710834A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080026681.2
申请日：2020-04-02
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 一种多晶硅原料，其特征在于，所述多晶硅原料是包含多种多晶硅块的单晶硅制造用多晶硅原料，将在多晶硅原料的主体内存在的施主元素的合计浓度设为Cd1[ppta]、在多晶硅原料的主体内存在的受主元素的合计浓度设为Ca1[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的施主元素的合计浓度设为Cd2[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的受主元素的合计浓度设为Ca2[ppta]时，Cd1、Ca1、Cd2和Ca2满足下述关系：5[ppta]≤(Ca1+Ca2)‑(Cd1+Cd2)≤26[ppta]。
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公开(公告)号：CN113661277A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202080026836.2
申请日：2020-04-02
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 一种多晶硅原料，其是包含多种多晶硅块的单晶硅制造用多晶硅原料，将在多晶硅原料的主体内存在的施主元素的合计浓度设为Cd1[ppta]、在多晶硅原料的主体内存在的受主元素的合计浓度设为Ca1[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的施主元素的合计浓度设为Cd2[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的受主元素的合计浓度设为Ca2[ppta]时，Cd1、Ca1、Cd2和Ca2为2[ppta]≤(Cd1+Cd2)‑(Ca1+Ca2)≤8[ppta]。
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公开(公告)号：CN118360665A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410465650.7
申请日：2020-04-02
Applicant: 株式会社德山
IPC: C30B29/06 , C01B33/02 , C01B33/035 , C01B33/037 , C30B15/00
Abstract: 本发明涉及n型单晶硅的制造方法。将包含多种多晶硅块的多晶硅原料熔融来制造n型单晶硅，所述制造方法包括如下工序：在所述多晶硅原料熔融时不添加掺杂剂，来制造电阻率为10000Ωcm以上的n型单晶硅，作为所述多晶硅原料，使用如下多晶硅原料：将在多晶硅原料的主体内存在的施主元素的合计浓度设为Cd1[ppta]、在多晶硅原料的主体内存在的受主元素的合计浓度设为Ca1[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的施主元素的合计浓度设为Cd2[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的受主元素的合计浓度设为Ca2[ppta]时，所述Cd1、Ca1、Cd2和Ca2满足下述关系：2[ppta]≤(Cd1+Cd2)－(Ca1+Ca2)≤8[ppta]。
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公开(公告)号：CN118345507A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410465652.6
申请日：2020-04-02
Applicant: 株式会社德山
IPC: C30B29/06 , C01B33/02 , C01B33/035 , C01B33/037 , C30B15/04 , C30B15/20
Abstract: 本发明涉及p型单晶硅的制造方法。将包含多种多晶硅块的多晶硅原料熔融来制造p型单晶硅，所述制造方法包括如下工序：在所述多晶硅原料熔融时不添加掺杂剂，来制造电阻率为10000Ωcm以上的p型单晶硅，作为所述多晶硅原料，使用如下多晶硅原料：将在多晶硅原料的主体内存在的施主元素的合计浓度设为Cd1[ppta]、在多晶硅原料的主体内存在的受主元素的合计浓度设为Ca1[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的施主元素的合计浓度设为Cd2[ppta]、在多晶硅原料的表面存在的受主元素的合计浓度设为Ca2[ppta]时，所述Cd1、Ca1、Cd2和Ca2满足下述关系：5[ppta]≤(Ca1+Ca2)－(Cd1+Cd2)≤26[ppta]。
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