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公开(公告)号：CN112771016A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980062444.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明提供一种高纯度异丙醇，其中，碳原子数为7～12的缩醛化合物的浓度以质量基准计为100ppb以下，进行了在氮气气氛下于80℃加热4小时的加速试验的情况下，就前述缩醛化合物的浓度而言，相对于该加热前的值而言增加量在30倍以内，且以质量基准计维持为100ppb以下的值。另外，提供如上所述的高纯度异丙醇的制造方法。
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公开(公告)号：CN103119006A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180046208.1
申请日：2011-10-19
Applicant: 株式会社德山
IPC: C07C17/275 , B01J31/28 , C07C17/278 , C07C19/01 , C07B61/00
CPC classification number: C07C17/275 , B01J31/1845 , B01J31/2217 , B01J31/2295 , B01J2231/32 , B01J2531/842 , C07C17/278 , C07C19/01
Abstract: 本发明提供一种连续分批反应方法，其特征在于，在液相的反应体系中，一边在液相和气相存在的分批式反应器内供给非取代或用氯取代了的乙烯一边以分批方式进行对非取代或用氯取代了的乙烯加成四氯化碳来得到聚氯丙烷的加成反应，在分批反应结束后从反应器排出反应混合液、接着对相同反应器供给用于下批反应的原料、以分批方式反复进行上述加成反应的情况的第2批以后，将存在于上述气相部的非取代或用氯取代了的乙烯的分压在25℃下调整为0.11～0.52MPa(abs)而进行上述加成反应。
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公开(公告)号：CN103119005A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180044396.4
申请日：2011-12-01
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明提供一种碳数为3的氯化烃的制备方法，其特征在于，经过如下转化工序：通过使下述式（1）CCl3-CCl(2-m)Hm-CCl(3-n)Hn（1），（式（1）中，m为1或2，n为0～3的整数）所示的氯丙烷在无水氯化铝的存在下与氯反应而转化成下述式（2）CCl3-CCl(3-m)H(m-1)-CCl(3-n)Hn（2），（式（2）中，m和n分别为与式（1）中的m和n相同的整数）所示的氯丙烷。
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公开(公告)号：CN118742996A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202380022672.X
申请日：2023-02-07
Applicant: 株式会社德山
IPC: H01L21/304 , C11D7/24 , C11D7/26 , C11D7/50
Abstract: 提供一种包含异丙醇的半导体清洗液，其中，叔丁醇相对异丙醇的质量比为1ppm以下。另外，提供一种半导体清洗液的制造方法，其包括第一蒸馏工序，其中，将作为杂质包含叔丁醇的粗异丙醇水溶液供给至第一蒸馏塔的原料供给段，从前述第一蒸馏塔的塔顶抽出第一馏出液并且从前述第一蒸馏塔的塔底抽出第一塔釜残液，前述第一馏出液包含沸点比异丙醇低的低沸点杂质，在前述第一蒸馏工序中，以从前述第一蒸馏塔的原料供给段起至塔顶为止的段之中的、以理论塔板数计为3段以上的段中的液相中的水的含有率成为15质量％以上的方式，从前述第一蒸馏塔的外部向前述第一蒸馏塔的与原料供给段相比以理论塔板计靠上2段以上的规定的段供给含有水的流体。
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公开(公告)号：CN115335966B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202180022829.X
申请日：2021-03-30
Applicant: 株式会社德山
IPC: H01L21/304 , B01D3/36 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供半导体处理液及其制造方法，所述半导体处理液为包含高纯度异丙醇的半导体处理液，在SUS304制容器内于50℃、氮气氛下保管了60天时的下述式(1)表示的氧杂环戊烷化合物的浓度以相对于异丙醇而言的质量基准计为25ppb以下。式中，R1及R2各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R1及R2的碳原子数合计为3以下。R3表示氢原子或异丙基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103119005B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201180044396.4
申请日：2011-12-01
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明提供一种碳数为3的氯化烃的制备方法，其特征在于，经过如下转化工序：通过使下述式（1）CCl3‑CCl(2‑m)Hm‑CCl(3‑n)Hn（1）（式（1）中，m为1或2，n为0～3的整数）所示的氯丙烷在无水氯化铝的存在下与氯反应而转化成下述式（2）CCl3‑CCl(3‑m)H(m‑1)‑CCl(3‑n)Hn（2）（式（2）中，m和n分别为与式（1）中的m和n相同的整数）所示的氯丙烷。
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公开(公告)号：CN102177116B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201080002886.3
申请日：2010-06-17
Applicant: 株式会社德山
IPC: C07C17/25 , C07C17/04 , C07C17/278 , C07C19/01 , C07C21/04
CPC classification number: C07C17/04 , C01B7/01 , C01B7/04 , C01B7/0706 , C07C17/25 , C07C17/275 , C07C17/278 , C07C19/01 , C07C21/04
Abstract: 本发明涉及用于制备氯化烃的方法，其特征在于，经由使下述通式(1)表示的饱和化合物热分解，获得下述通式(2)表示的不饱和化合物的热脱氯化氢工序。CCl3-CCl2-mHm-CCl3-nHn(1)；CCl2＝CCl2-mHm-1-CC3-nHn(2)(式中，m为1或2，n为0～3的整数)。
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公开(公告)号：CN102177116A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201080002886.3
申请日：2010-06-17
Applicant: 株式会社德山
IPC: C07C17/25 , C07C17/04 , C07C17/278 , C07C19/01 , C07C21/04
CPC classification number: C07C17/04 , C01B7/01 , C01B7/04 , C01B7/0706 , C07C17/25 , C07C17/275 , C07C17/278 , C07C19/01 , C07C21/04
Abstract: 本发明涉及用于制备氯化烃的方法，其特征在于，经由使下述通式(1)表示的饱和化合物热分解，获得下述通式(2)表示的不饱和化合物的热脱氯化氢工序。CCl3-CCl2-mHm-CCl3-nHn (1)CCl2＝CCl2-mHm-1-CC3-nHn (2)(式中，m为1或2，n为0～3的整数)。
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公开(公告)号：CN117836623A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280057448.X
申请日：2022-08-31
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 无机固体的表面碳量测定方法，其特征在于，在含氧气氛下对收容于密闭容器中的无机固体进行加热并使表面燃烧，利用气相色谱法对该燃烧后的容器气氛中的二氧化碳量进行分析，根据所得分析结果求出所述无机固体表面的碳量，其中，所述密闭容器构造优选为其壁面的一部分向外方向延伸而形成延伸部，在该延伸部的外端面设有能够利用盖材开闭的无机固体的出入口，在该盖材的与所述延伸部外端的壁面的接触面上夹设有合成橡胶制定型密封材料。
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公开(公告)号：CN115335966A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180022829.X
申请日：2021-03-30
Applicant: 株式会社德山
IPC: H01L21/304 , B01D3/36 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供半导体处理液及其制造方法，所述半导体处理液为包含高纯度异丙醇的半导体处理液，在SUS304制容器内于50℃、氮气氛下保管了60天时的下述式(1)表示的氧杂环戊烷化合物的浓度以相对于异丙醇而言的质量基准计为25ppb以下。式中，R1及R2各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R1及R2的碳原子数合计为3以下。R3表示氢原子或异丙基。
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