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公开(公告)号：CN112771015A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980062035.9
申请日：2019-10-03
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明提供一种异丙醇的制造方法，其使水与丙烯直接水合来制造异丙醇，所述异丙醇的制造方法包括下述工序：将粗异丙醇蒸馏的蒸馏工序；和将在所述蒸馏工序中得到的异丙醇用具有离子交换基团的过滤器过滤的过滤工序。
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公开(公告)号：CN112771016A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980062444.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明提供一种高纯度异丙醇，其中，碳原子数为7～12的缩醛化合物的浓度以质量基准计为100ppb以下，进行了在氮气气氛下于80℃加热4小时的加速试验的情况下，就前述缩醛化合物的浓度而言，相对于该加热前的值而言增加量在30倍以内，且以质量基准计维持为100ppb以下的值。另外，提供如上所述的高纯度异丙醇的制造方法。
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公开(公告)号：CN101952490A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980102299.9
申请日：2009-01-09
Applicant: 国立大学法人东京农工大学 , 株式会社德山
CPC classification number: C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403
Abstract: 本发明提供一种晶面的曲率半径大的Al系III族氮化物单晶自立基板，其是AlN等III族氮化物单晶自立基板，其可适合用于形成紫外发光元件等半导体元件，该自立基板如下获得：在由蓝宝石等无机物质的单晶构成的基底基板上形成厚度3～200nm的Al系III族氮化物单晶薄膜层后，在含有氨气的还原性气体气氛中在800～1600℃下加热处理，在所得层叠基板的基底基板与Al系III族氮化物单晶薄膜层的界面处形成空隙，接着在上述Al系III族氮化物单晶薄膜层上形成III族氮化物单晶厚膜，将其分离，从而获得自立基板；所述无机物质在惰性气体中800℃下不会实质性分解，而在800～1600℃下与氢气等还原性气体接触而分解并生成挥发性物质。
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公开(公告)号：CN112771015B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201980062035.9
申请日：2019-10-03
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明提供一种异丙醇的制造方法，其使水与丙烯直接水合来制造异丙醇，所述异丙醇的制造方法包括下述工序：将粗异丙醇蒸馏的蒸馏工序；和将在所述蒸馏工序中得到的异丙醇用具有离子交换基团的过滤器过滤的过滤工序。
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公开(公告)号：CN101918624A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200880124855.8
申请日：2008-12-16
Applicant: 国立大学法人东京农工大学 , 株式会社德山
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/183 , H01L33/0075 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 利用下述层叠体的制造方法，提供可适合作为制造Al系III族氮化物单晶自立基板的基底基板来使用的、表面由Al系III族氮化物的单晶构成、且没有裂纹、翘曲的基板。所述制造方法包括以下工序：(1)准备基底基板的工序，所述基底基板具有由与构成欲形成的Al系III族氮化物单晶层的材料不同的材料的单晶构成的表面；(2)在所准备的基底基板的单晶面上形成厚度为10nm～1.5μm的Al系III族氮化物单晶层的工序；(3)在Al系III族氮化物单晶层上形成厚度为Al系III族氮化物单晶层的100倍以上的非单晶层而不破坏Al系III族氮化物单晶层的工序；及(4)将基底基板除去的工序。
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