-
公开(公告)号：CN100406418C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200510098167.7
申请日：2005-05-31
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明提供了一种高次氯化甲烷类的制造方法，其中，在将低次氯化甲烷类和氯供给至反应器以制造高次氯化甲烷类时，相对于上述供给到反应器的低次氯化甲烷类以及氯的总供给量，将该低次氯化甲烷类以及氯中含有的总金属成分的比例调整为5质量ppm以下，并且相对于总供给量将总水分的比例调整为30质量ppm以下。因此，在用于降低氯中的氧的精制中可以大幅降低氯的损失。
-
公开(公告)号：CN101838817B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201010173535.0
申请日：2004-03-31
CPC classification number: H01M4/8605 , C25B9/18 , C25B11/035 , H01M8/0239 , Y10T29/49108 , Y10T29/49114 , Y10T29/49115 , Y10T29/53204
Abstract: 气体扩散电极、该电极的接合方法和具有该电极的电解槽 。本发明提供一种气体扩散电极、以及使用了该气体扩散电极的电解槽。对于该气体扩散电极，至少在一个面具有全氟磺酸层、全氟磺酰氟层、或者全氟羧酸烷基酯层的接合片的各个的该全氟化合物层面作为接合片而配置，加热熔合邻接的气体扩散电极、或将接合片作为框体而加热熔合、或将邻接的气体扩散电极采用与气体扩散电极的构成材料相同的材料加热熔合并密封。
-
公开(公告)号：CN101058525B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200710096189.9
申请日：2007-04-18
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明提供能够减小反应阻碍因素的影响、使反应更加稳定的方法作为利用低氯代甲烷类的氯代制造高氯代甲烷类的方法的改良方法。在将低氯代甲烷类和氯供给至反应器中制造高氯代甲烷类时，相对于供给至该反应器的氯代甲烷类的总量，以2质量％以上的比例供给氯化氢。根据需要，与该氯化氢一起，以5质量％以上的比例供给高氯代甲烷类。
-
公开(公告)号：CN103119005A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180044396.4
申请日：2011-12-01
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明提供一种碳数为3的氯化烃的制备方法，其特征在于，经过如下转化工序：通过使下述式（1）CCl3-CCl(2-m)Hm-CCl(3-n)Hn（1），（式（1）中，m为1或2，n为0～3的整数）所示的氯丙烷在无水氯化铝的存在下与氯反应而转化成下述式（2）CCl3-CCl(3-m)H(m-1)-CCl(3-n)Hn（2），（式（2）中，m和n分别为与式（1）中的m和n相同的整数）所示的氯丙烷。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101058525A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710096189.9
申请日：2007-04-18
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明提供能够减小反应阻碍因素的影响、使反应更加稳定的方法作为利用低氯代甲烷类的氯代制造高氯代甲烷类的方法的改良方法。在将低氯代甲烷类和氯供给至反应器中制造高氯代甲烷类时，相对于供给至该反应器的氯代甲烷类的总量，以2质量％以上的比例供给氯化氢。根据需要，与该氯化氢一起，以5质量％以上的比例供给高氯代甲烷类。
-
公开(公告)号：CN103119005B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201180044396.4
申请日：2011-12-01
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明提供一种碳数为3的氯化烃的制备方法，其特征在于，经过如下转化工序：通过使下述式（1）CCl3‑CCl(2‑m)Hm‑CCl(3‑n)Hn（1）（式（1）中，m为1或2，n为0～3的整数）所示的氯丙烷在无水氯化铝的存在下与氯反应而转化成下述式（2）CCl3‑CCl(3‑m)H(m‑1)‑CCl(3‑n)Hn（2）（式（2）中，m和n分别为与式（1）中的m和n相同的整数）所示的氯丙烷。
-
公开(公告)号：CN101838817A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010173535.0
申请日：2004-03-31
CPC classification number: H01M4/8605 , C25B9/18 , C25B11/035 , H01M8/0239 , Y10T29/49108 , Y10T29/49114 , Y10T29/49115 , Y10T29/53204
Abstract: 气体扩散电极、该电极的接合方法和具有该电极的电解槽。本发明提供一种气体扩散电极、以及使用了该气体扩散电极的电解槽。对于该气体扩散电极，至少在一个面具有全氟磺酸层、全氟磺酰氟层、或者全氟羧酸烷基酯层的接合片的各个的该全氟化合物层面作为接合片而配置，加热熔合邻接的气体扩散电极、或将接合片作为框体而加热熔合、或将邻接的气体扩散电极采用与气体扩散电极的构成材料相同的材料加热熔合并密封。
-
公开(公告)号：CN1584124B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200410033237.6
申请日：2004-03-31
Applicant: 氯工程公司 , 东曹株式会社 , 三井化学株式会社 , 东亚合成株式会社 , 钟渊化学工业株式会社 , 旭硝子株式会社 , 旭化成化学株式会社 , 大曹株式会社 , 株式会社德山
CPC classification number: H01M4/8605 , C25B9/18 , C25B11/035 , H01M8/0239 , Y10T29/49108 , Y10T29/49114 , Y10T29/49115 , Y10T29/53204
Abstract: 气体扩散电极、该电极的接合方法和具有该电极的电解槽。本发明提供一种气体扩散电极、以及使用了该气体扩散电极的电解槽。对于该气体扩散电极，至少在一个面具有全氟磺酸层、全氟磺酰氟层、或者全氟羧酸烷基酯层的接合片的各个的该全氟化合物层面作为接合片而配置，加热熔合邻接的气体扩散电极、或将接合片作为框体而加热熔合、或将邻接的气体扩散电极采用与气体扩散电极的构成材料相同的材料加热熔合并密封。
-
公开(公告)号：CN1872825A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200510098167.7
申请日：2005-05-31
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明提供了一种高次氯化甲烷类的制造方法，其中，在将低次氯化甲烷类和氯供给至反应器以制造高次氯化甲烷类时，相对于上述供给到反应器的低次氯化甲烷类以及氯的总供给量，将该低次氯化甲烷类以及氯中含有的总金属成分的比例调整为5质量ppm以下，并且相对于总供给量将总水分的比例调整为30质量ppm以下。因此，在用于降低氯中的氧的精制中可以大幅降低氯的损失。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.019 seconds)
