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公开(公告)号：CN110809735A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201880043992.2
申请日：2018-09-06
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 小泽隆仁 , 宝田庸平 , 林贤利 , 八神高史
IPC: G03F1/58 , B32B15/04 , C03C15/00 , C03C17/36 , G03F1/38
Abstract: 光掩模坯具有基板，并且从上述基板侧起依次至少具有第1层和第2层，上述第1层含有铬，上述第2层含有铬和氧，上述第2层的表面的算术平均高度为0.245nm以上。
公开(公告)号：CN116670583A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202280008221.6
申请日：2022-04-15
Inventor： 林贤利 , 宫城茂彦 , 八神高史
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明提供一种能够制造图案精度高的相移掩模的相移掩模坯料。相移掩模坯料(100)具有基材(10)和形成在上述基材(10)上的包含锆(Zr)、硅(Si)和氮(N)的相移层(20)。上述相移层(20)中所含的氮浓度为51原子％以上。
公开(公告)号：CN112689796A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201980059790.1
申请日：2019-05-20
IPC: G03F1/32 , C23C14/06 , G03F1/54
Abstract: 一种相移掩模坯料，其是具有基板及形成于上述基板上的相移层的相移掩模坯料，上述相移层含有铬及氧，上述相移层的表面的算术平均高度的值为0.38nm以上。
公开(公告)号：CN119013618A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380031954.6
申请日：2023-03-10
Inventor： 林贤利 , 宫城茂彦 , 八神高史 , 小泽隆仁
IPC: G03F1/32 , G03F1/58 , G03F1/80 , C23C14/06
Abstract: 一种相移掩模坯料，其具有：基板，和在所述基板上成膜的第1层，所述第1层包含锆(Zr)、硅(Si)和氮(N)，所述第1层在对波长365nm的光赋予180°的相移的膜厚下的透射率为4％以上且为40％以下。
公开(公告)号：CN110809735B
公开(公告)日：2023-04-21
