公开(公告)号：CN119013618A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380031954.6

申请日：2023-03-10

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 林贤利 ,  宫城茂彦 ,  八神高史 ,  小泽隆仁

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/58 ,  G03F1/80 ,  C23C14/06

Abstract: 一种相移掩模坯料，其具有：基板，和在所述基板上成膜的第1层，所述第1层包含锆(Zr)、硅(Si)和氮(N)，所述第1层在对波长365nm的光赋予180°的相移的膜厚下的透射率为4％以上且为40％以下。

公开(公告)号：CN116670583A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202280008221.6

申请日：2022-04-15

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 林贤利 ,  宫城茂彦 ,  八神高史

IPC: G03F1/32

Abstract: 本发明提供一种能够制造图案精度高的相移掩模的相移掩模坯料。相移掩模坯料(100)具有基材(10)和形成在上述基材(10)上的包含锆(Zr)、硅(Si)和氮(N)的相移层(20)。上述相移层(20)中所含的氮浓度为51原子％以上。