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公开(公告)号：CN110753882B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201880026044.8
申请日：2018-04-16
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 丹尼尔·基恩·史密斯 , 大卫·M·威尔森
Abstract: 一种光学成像、反射系统、曝光工具、设备及装置制造方法。所述反射系统具有参考轴以及第一反射镜、第二反射镜及第三反射镜。所述第一反射镜含有承载实质上一维图案的图案源。所述第二反射镜及所述第三反射镜的组合被配置成：在极紫外线光中利用仅有的两束光以N>1的减缩因数形成图案的光学图像，所述仅有的两束光因以入射于第一反射镜上的光辐照所述第一反射镜而起源于所述第一反射镜处。
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公开(公告)号：CN110914760A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201880030036.0
申请日：2018-05-09
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 丹尼尔·基恩·史密斯 , 大卫·M·威尔森 , 多尼斯·G·弗拉杰罗 , 麦可·B·宾纳德
Abstract: 一种反射系统具有参考轴且包括反射图案源(承载实质上一维图案)以及两个光学反射镜的组合，所述两个光学反射镜依序设置以将入射于第一光学组件上的EUV辐射转移至图案源上，图案源的实质上一维图案设置于弯曲的表面中。在一种情形中，此种组合包括仅有两个光学反射镜(每一光学反射镜可含有多个构成组件)。所述组合相对于所述图案源设置成固定的空间及光学关系，且表示一维极紫外线曝光工具的照明单元(IU)，所述一维极紫外线曝光工具另外包括(包括投影光学子系统，所述投影光学子系统被配置成在图像平面上利用仅有两束辐射形成所述图案源的光学图像。所述仅有两束辐射在所述图案源处起源于被转移至所述图案源上的所述极紫外线辐射。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110753882A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201880026044.8
申请日：2018-04-16
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 丹尼尔·基恩·史密斯 , 大卫·M·威尔森
Abstract: 一种反射系统具有参考轴以及第一反射镜、第二反射镜及第三反射镜。所述第一反射镜含有承载实质上一维图案的图案源。所述第二反射镜及所述第三反射镜的组合被配置成：在极紫外线光中利用仅有的两束光以N>1的减缩因数形成图案的光学图像，所述仅有的两束光因以入射于第一反射镜上的光辐照所述第一反射镜而起源于所述第一反射镜处。一种采用所述反射系统的曝光设备以及利用所述曝光设备制造装置的方法。
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公开(公告)号：CN110914760B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201880030036.0
申请日：2018-05-09
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 丹尼尔·基恩·史密斯 , 大卫·M·威尔森 , 多尼斯·G·弗拉杰罗 , 麦可·B·宾纳德
Abstract: 一种反射系统、极紫外线曝光工具及光刻曝光工具。反射系统具有参考轴且包括反射图案源(承载一维图案)以及两个光学反射镜的组合，两个光学反射镜依序设置以将入射于第一光学组件上的EUV辐射转移至图案源上，图案源的一维图案设置于弯曲的表面中。在一种情形中，此种组合包括仅有两个光学反射镜(每一光学反射镜可含有多个构成组件)。所述组合相对于所述图案源设置成固定的空间及光学关系，且表示一维极紫外线曝光工具的照明单元，一维极紫外线曝光工具另外包括投影光学子系统，投影光学子系统被配置成在图像平面上利用仅有两束辐射形成所述图案源的光学图像。所述仅有两束辐射在所述图案源处起源于被转移至所述图案源上的极紫外线辐射。
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公开(公告)号：CN117529386A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202280043924.2
申请日：2022-06-24
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 丹尼尔·基恩·史密斯 , 迈克尔·伯克·宾纳德 , 奥尔顿·休·菲利普 , 希瑟·林恩·杜克 , 一之瀬刚 , 内藤兼行
IPC: B23K26/03
Abstract: 本发明公开解决微结构的大规模光学制造问题的系统及方法。所述系统及方法利用一个或多个光学处理系统在表面上的第一区中生成第一组对准标记。光学处理系统然后将其焦点移动到所述表面上的第二区。第二区大致与第一区部分地交叠，进而使得光学处理系统可检测第一组对准标记的位置。光学处理系统然后基于第一组对准标记的位置来生成第二组对准标记。以迭代的方式重复进行此过程，直到在所述表面的所有区上都已生成对准标记为止。对准标记可用于以光学方式对被配置成在所述表面上产生3D结构的一个或多个光学处理系统进行对准。
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公开(公告)号：CN110892328B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201880027134.9
申请日：2018-04-24
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 丹尼尔·基恩·史密斯 , 大卫·M·威尔森
Abstract: 公开一种反射系统、极紫外线曝光工具、光刻曝光工具及光学系统。所述反射系统具有参考轴且包括反射图案源(承载实质上一维图案)以及仅有三个光学组件的组合，所述仅有三个光学组件依序设置以将入射于第一光学组件上的极紫外线辐射转移至所述图案源上。所述组合相对于所述图案源设置成固定的空间及光学关系，且表示一维极紫外线曝光工具的照明单元(IU)，所述一维极紫外线曝光工具另外包括投影光学器件子系统，所述投影光学器件子系统被配置成在图像平面上利用仅有两束辐射形成所述图案源的光学图像。所述仅有两束辐射在所述图案源处起源于被转移至所述图案源上的所述极紫外线辐射。
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公开(公告)号：CN110892328A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880027134.9
申请日：2018-04-24
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 丹尼尔·基恩·史密斯 , 大卫·M·威尔森
Abstract: 一种反射系统具有参考轴且包括反射图案源(承载实质上一维图案)以及仅有三个光学组件的组合，所述仅有三个光学组件依序设置以将入射于第一光学组件上的极紫外线辐射转移至所述图案源上。所述组合相对于所述图案源设置成固定的空间及光学关系，且表示一维极紫外线曝光工具的照明单元(IU)，所述一维极紫外线曝光工具另外包括|包括投影光学器件子系统，所述投影光学器件子系统被配置成在图像平面上利用仅有两束辐射形成所述图案源的光学图像。所述仅有两束辐射在所述图案源处起源于被转移至所述图案源上的所述极紫外线辐射。
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