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公开(公告)号：CN109564389B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201780044174.X
申请日：2017-05-19
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 朵妮丝·G·费杰洛 , 大卫·M·威尔森 , 史蒂芬·P·雷威克 , 丹尼尔·杰尼·史密斯 , 麦可·B·宾纳德
Abstract: 被专门配置为在目标工件(156)上印刷一维线的极紫外(EUV)光刻刻划引擎包括：EUV辐射源(114)；图案源(144)，其限定1D图案；照射单元(IU)，其被配置为辐照图案源(144)；以及投影光学(PO)，其被配置为以缩小因子N>1将1D图案光学成像在与1D图案光学共轭的像面上。图案源(144)的辐照可同轴或离轴。在1D图案具有第一空间频率时，其光学图像具有至少为第一空间频率的两倍的第二空间频率。图案源(144)可为平坦的或弯曲的。IU可以包括中继反射器(126)。PO的反射器可以包括多个空间上不同的反射元件(130,134)，其一同形成这样的反射器。该引擎被配置为不允许形成具有基本上等于图案源(144)的1D图案的节距的空间分辨率的任何2D图案的光学图像。
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公开(公告)号：CN110753882B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201880026044.8
申请日：2018-04-16
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 丹尼尔·基恩·史密斯 , 大卫·M·威尔森
Abstract: 一种光学成像、反射系统、曝光工具、设备及装置制造方法。所述反射系统具有参考轴以及第一反射镜、第二反射镜及第三反射镜。所述第一反射镜含有承载实质上一维图案的图案源。所述第二反射镜及所述第三反射镜的组合被配置成：在极紫外线光中利用仅有的两束光以N>1的减缩因数形成图案的光学图像，所述仅有的两束光因以入射于第一反射镜上的光辐照所述第一反射镜而起源于所述第一反射镜处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110753882A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201880026044.8
申请日：2018-04-16
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 丹尼尔·基恩·史密斯 , 大卫·M·威尔森
Abstract: 一种反射系统具有参考轴以及第一反射镜、第二反射镜及第三反射镜。所述第一反射镜含有承载实质上一维图案的图案源。所述第二反射镜及所述第三反射镜的组合被配置成：在极紫外线光中利用仅有的两束光以N>1的减缩因数形成图案的光学图像，所述仅有的两束光因以入射于第一反射镜上的光辐照所述第一反射镜而起源于所述第一反射镜处。一种采用所述反射系统的曝光设备以及利用所述曝光设备制造装置的方法。
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公开(公告)号：CN110914760A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201880030036.0
申请日：2018-05-09
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 丹尼尔·基恩·史密斯 , 大卫·M·威尔森 , 多尼斯·G·弗拉杰罗 , 麦可·B·宾纳德
Abstract: 一种反射系统具有参考轴且包括反射图案源(承载实质上一维图案)以及两个光学反射镜的组合，所述两个光学反射镜依序设置以将入射于第一光学组件上的EUV辐射转移至图案源上，图案源的实质上一维图案设置于弯曲的表面中。在一种情形中，此种组合包括仅有两个光学反射镜(每一光学反射镜可含有多个构成组件)。所述组合相对于所述图案源设置成固定的空间及光学关系，且表示一维极紫外线曝光工具的照明单元(IU)，所述一维极紫外线曝光工具另外包括(包括投影光学子系统，所述投影光学子系统被配置成在图像平面上利用仅有两束辐射形成所述图案源的光学图像。所述仅有两束辐射在所述图案源处起源于被转移至所述图案源上的所述极紫外线辐射。
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公开(公告)号：CN110914760B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201880030036.0
申请日：2018-05-09
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 丹尼尔·基恩·史密斯 , 大卫·M·威尔森 , 多尼斯·G·弗拉杰罗 , 麦可·B·宾纳德
Abstract: 一种反射系统、极紫外线曝光工具及光刻曝光工具。反射系统具有参考轴且包括反射图案源(承载一维图案)以及两个光学反射镜的组合，两个光学反射镜依序设置以将入射于第一光学组件上的EUV辐射转移至图案源上，图案源的一维图案设置于弯曲的表面中。在一种情形中，此种组合包括仅有两个光学反射镜(每一光学反射镜可含有多个构成组件)。所述组合相对于所述图案源设置成固定的空间及光学关系，且表示一维极紫外线曝光工具的照明单元，一维极紫外线曝光工具另外包括投影光学子系统，投影光学子系统被配置成在图像平面上利用仅有两束辐射形成所述图案源的光学图像。所述仅有两束辐射在所述图案源处起源于被转移至所述图案源上的极紫外线辐射。
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公开(公告)号：CN110892328B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201880027134.9
申请日：2018-04-24
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 丹尼尔·基恩·史密斯 , 大卫·M·威尔森
Abstract: 公开一种反射系统、极紫外线曝光工具、光刻曝光工具及光学系统。所述反射系统具有参考轴且包括反射图案源(承载实质上一维图案)以及仅有三个光学组件的组合，所述仅有三个光学组件依序设置以将入射于第一光学组件上的极紫外线辐射转移至所述图案源上。所述组合相对于所述图案源设置成固定的空间及光学关系，且表示一维极紫外线曝光工具的照明单元(IU)，所述一维极紫外线曝光工具另外包括投影光学器件子系统，所述投影光学器件子系统被配置成在图像平面上利用仅有两束辐射形成所述图案源的光学图像。所述仅有两束辐射在所述图案源处起源于被转移至所述图案源上的所述极紫外线辐射。
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公开(公告)号：CN110892328A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880027134.9
申请日：2018-04-24
Applicant: 株式会社尼康
Inventor： 丹尼尔·基恩·史密斯 , 大卫·M·威尔森
Abstract: 一种反射系统具有参考轴且包括反射图案源(承载实质上一维图案)以及仅有三个光学组件的组合，所述仅有三个光学组件依序设置以将入射于第一光学组件上的极紫外线辐射转移至所述图案源上。所述组合相对于所述图案源设置成固定的空间及光学关系，且表示一维极紫外线曝光工具的照明单元(IU)，所述一维极紫外线曝光工具另外包括|包括投影光学器件子系统，所述投影光学器件子系统被配置成在图像平面上利用仅有两束辐射形成所述图案源的光学图像。所述仅有两束辐射在所述图案源处起源于被转移至所述图案源上的所述极紫外线辐射。
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