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公开(公告)号：CN100458531C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410055831.5
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3685 , G09G2310/027
Abstract: 具有音频信号处理功能的液晶显示器件，其包括具有大的S/N比和小的假信号的音频信号处理电路。本发明的显示器件包括电阻器串D/A转换器电路，可以通过将共用电源用于D/A转换器电路和信号线驱动器电路而增加电阻器串D/A转换器电路的动态范围。因此，可以相对于音频信号减少在D/A转换器电路中产生的假信号，并因此增加D/A转换的信号的S/N比。
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公开(公告)号：CN1573484A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047514.9
申请日：2004-05-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/13452 , G02F1/13454
Abstract: 本发明提供一种用于显示图象的液晶显示器件，该液晶显示器件具有信号处理功能和窄边框。在本发明的显示器件中，信号处理电路由薄膜元件形成，并且该信号处理电路的至少一部分在形成布线连接部分的区域沿衬底的一边延伸的区域内形成。通过在液晶密封区域的外部提供信号处理电路等，并使用FPC连接部分旁边的区域，该区域通常为死区，可以提供具有窄边框的显示器件。
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公开(公告)号：CN1580915A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410055831.5
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3685 , G09G2310/027
Abstract: 具有音频信号处理功能的液晶显示器件，其包括具有大的S/N比和小的假信号的音频信号处理电路。本发明的显示器件包括电阻器串D/A转换器电路，可以通过将共用电源用于D/A转换器电路和信号线驱动器电路而增加电阻器串D/A转换器电路的动态范围。因此，可以相对于音频信号减少在D/A转换器电路中产生的假信号，并因此增加D/A转换的信号的S/N比。
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公开(公告)号：CN1542509A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410032980.X
申请日：2004-04-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01C7/006 , G02F1/13452 , H01G4/40 , H05K1/189 , H05K3/361 , H05K2201/10136
Abstract: 本发明提供了一种用于处理音频信号的音频信号处理电路，其紧凑且体积小。对于本发明的音频信号处理电路，输入电路、反馈电路和平滑电路都是由绝缘基底上的薄膜电阻器和只占用很小安装空间的片状电容器组成。因此，该音频信号处理电路体积小，本发明还提供了引入该音频信号处理电路的显示装置。
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公开(公告)号：CN100483190C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200410032980.X
申请日：2004-04-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01C7/006 , G02F1/13452 , H01G4/40 , H05K1/189 , H05K3/361 , H05K2201/10136
Abstract: 本发明提供了一种用于处理音频信号的音频信号处理电路，其紧凑且体积小。对于本发明的音频信号处理电路，输入电路、反馈电路和平滑电路都是由绝缘基底上的薄膜电阻器和只占用很小安装空间的片状电容器组成。因此，该音频信号处理电路体积小，本发明还提供了引入该音频信号处理电路的显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100407021C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200410047514.9
申请日：2004-05-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/13452 , G02F1/13454
Abstract: 本发明提供一种用于显示图象的液晶显示器件，该液晶显示器件具有信号处理功能和窄边框。在本发明的显示器件中，信号处理电路由薄膜元件形成，并且该信号处理电路的至少一部分在形成布线连接部分的区域沿衬底的一边延伸的区域内形成。通过在液晶密封区域的外部提供信号处理电路等，并使用FPC连接部分旁边的区域，该区域通常为死区，可以提供具有窄边框的显示器件。
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公开(公告)号：CN119403406A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411380672.X
申请日：2019-05-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/80 , H10K50/842 , H10K59/131 , H10K59/38 , H10K50/30 , H10K71/00 , H10K77/10 , H10K102/00
Abstract: 提供一种显示质量高的显示装置。提供一种在不进行图像数据的转换的情况下也能进行所希望的显示的显示装置。本发明的一个方式的显示装置包括第一像素。第一像素包括第一发光元件、颜色转换层及第一存储电路。第一发光元件呈现蓝色光。颜色转换层具有将第一发光元件所发射的光转换为更长波长的光的功能。对第一像素供应第一图像信号及第一校正信号。第一存储电路具有保持第一校正信号的功能及对第一图像信号添加第一校正信号的功能。第一像素具有使用第一图像信号及第一校正信号显示图像的功能。
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公开(公告)号：CN112868127B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201980068261.8
申请日：2019-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/60 , B60L58/24 , H01M10/44 , H01M10/48 , H01M10/613 , H01M10/615 , H01M10/633 , H01M10/637 , H02J7/00 , H02J7/10
Abstract: 通过二次电池的异常检测系统检测二次电池的异常，例如早期检测降低二次电池的安全性的现象，向使用者发出警告或者停止二次电池的使用，来确保安全性。二次电池的异常检测系统根据温度传感器所取得的温度信息检测二次电池的温度是否为能够进行正常工作的温度范围内。在二次电池的温度高时，通过二次电池的异常检测系统的控制信号驱动冷却装置。二次电池的异常检测系统至少包括存储单元，并且存储单元具有保持模拟信号的功能且包括作为半导体层使用氧化物半导体的晶体管。
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公开(公告)号：CN117348303A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311204850.9
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及显示装置。所述显示装置可包括：第一布线、第二布线、第三布线、晶体管、第一导电层，其中，所述第一布线在第一方向上延伸，其中，所述第二布线和所述第三布线均在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，其中，所述晶体管的源极和漏极中的一者通过所述第一导电层电连接到所述第二布线，其中，所述晶体管包括半导体层，并且其中，所述半导体层包括沟道形成区域，所述沟道形成区域包括硅。
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公开(公告)号：CN110114718B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201880005141.9
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/133 , G09G3/20 , G09G3/36 , H01L29/786
Abstract: 实现适合于大型化的显示装置。该显示装置包括第一至第三布线、第一晶体管、第一至第三导电层以及第一像素电极，第一布线在第一方向上延伸并与第二及第三布线交叉，第二和第三布线都在与第一方向交叉的第二方向上延伸，第一晶体管的栅极与第一布线电连接，第一晶体管的源极和漏极中的一个通过第一至第三导电层电连接于第二布线，第二导电层具有与第三布线重叠的区域，第一导电层、第三导电层以及第一像素电极包含同一材料，第一布线及第二导电层包含同一材料，第一布线被供应选择信号，并且，第二及第三布线分别被供应不同的信号。
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