公开(公告)号：CN103123936B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201210461422.X

申请日：2012-11-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  本田达也 ,  平石铃之介 ,  金村大志 ,  太田将志

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体元件、半导体元件的制造方法以及使用半导体元件的半导体装置，在作为活性层使用氧化物半导体膜的半导体元件中实现稳定的电特性。该半导体元件包括：基底膜，该基底膜为至少表面具有结晶性的氧化物膜；基底膜上的具有结晶性的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的至少与氧化物半导体膜重叠的栅电极；与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极，其中，基底膜含有铟及锌。通过采用上述结构，氧化物半导体膜的结晶状态反映基底膜的结晶状态，因此，氧化物半导体膜在膜厚度方向上的大范围具有结晶性。从而，可以使具有该膜的半导体元件的电特性稳定。

公开(公告)号：CN103123936A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201210461422.X

申请日：2012-11-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  本田达也 ,  平石铃之介 ,  金村大志 ,  太田将志

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体元件、半导体元件的制造方法以及使用半导体元件的半导体装置，在作为活性层使用氧化物半导体膜的半导体元件中实现稳定的电特性。该半导体元件包括：基底膜，该基底膜为至少表面具有结晶性的氧化物膜；基底膜上的具有结晶性的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的至少与氧化物半导体膜重叠的栅电极；与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极，其中，基底膜含有铟及锌。通过采用上述结构，氧化物半导体膜的结晶状态反映基底膜的结晶状态，因此，氧化物半导体膜在膜厚度方向上的大范围具有结晶性。从而，可以使具有该膜的半导体元件的电特性稳定。