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公开(公告)号：CN1649460A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510006889.5
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5262
Abstract: 本发明的目的是提供一种能有效率地防止杂质从衬底扩散到晶体管，以及在向其外提取光的过程中减少光的反射的发光器件。本发明的一个特征是发光器件包括衬底，设置在衬底上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的晶体管，以及具有设置成暴露衬底的第一开口部分以及覆盖晶体管的第二绝缘层，其中发光元件设置在第一开口部分内。
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公开(公告)号：CN100541812C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200510006890.8
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 揭示了一种能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化的发光装置。更具体地说，揭示了一种不仅能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化，而且能防止杂质以免从发光元件散布到薄膜晶体管中。被揭示的发光装置包括基底；设置在该基底上的第一绝缘层；设置在该第一绝缘层上的晶体管；以及具有第一开口部分的第二绝缘层，使得该晶体管被覆盖，而该基底被暴露；其中发光元件被设置在第一开口部分内部。
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公开(公告)号：CN101697353A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910168678.X
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5262
Abstract: 本发明涉及发光器件。本发明的目的是提供一种能有效率地防止杂质从衬底扩散到晶体管，以及在向其外提取光的过程中减少光的反射的发光器件。本发明的一个特征是发光器件包括衬底，设置在衬底上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的晶体管，以及具有设置成暴露衬底的第一开口部分以及覆盖晶体管的第二绝缘层，其中发光元件设置在第一开口部分内。
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公开(公告)号：CN101588660B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200910139830.1
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 揭示了一种能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化的发光装置。更具体地说，揭示了一种不仅能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化，而且能防止杂质以免从发光元件散布到薄膜晶体管中。被揭示的发光装置包括基底；设置在该基底上的第一绝缘层；设置在该第一绝缘层上的晶体管；以及具有第一开口部分的第二绝缘层，使得该晶体管被覆盖，而该基底被暴露；其中发光元件被设置在第一开口部分内部。
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公开(公告)号：CN101697353B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910168678.X
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5262
Abstract: 本发明涉及发光器件。本发明的目的是提供一种能有效率地防止杂质从衬底扩散到晶体管，以及在向其外提取光的过程中减少光的反射的发光器件。本发明的一个特征是发光器件包括衬底，设置在衬底上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的晶体管，以及具有设置成暴露衬底的第一开口部分以及覆盖晶体管的第二绝缘层，其中发光元件设置在第一开口部分内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101588660A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910139830.1
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 揭示了一种能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化的发光装置。更具体地说，揭示了一种不仅能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化，而且能防止杂质以免从发光元件散布到薄膜晶体管中。被揭示的发光装置包括基底；设置在该基底上的第一绝缘层；设置在该第一绝缘层上的晶体管；以及具有第一开口部分的第二绝缘层，使得该晶体管被覆盖，而该基底被暴露；其中发光元件被设置在第一开口部分内部。
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公开(公告)号：CN100555704C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510006889.5
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5262
Abstract: 本发明的目的是提供一种能有效率地防止杂质从衬底扩散到晶体管，以及在向其外提取光的过程中减少光的反射的发光器件。本发明的一个特征是发光器件包括衬底，设置在衬底上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的晶体管，以及具有设置成暴露衬底的第一开口部分以及覆盖晶体管的第二绝缘层，其中发光元件设置在第一开口部分内。
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公开(公告)号：CN100407454C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200410094236.2
申请日：2004-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/322 , H01L27/3276 , H01L51/5048 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/52 , H01L51/5206 , H01L51/5215 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5259 , H01L51/56
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种用于制造具有高的内量子效率、低功耗、具有高的亮度和具有高可靠性的发光器件的方法。本发明提供一种发光器件的制造方法，包括如下步骤：形成包括导电的光传输氧化物材料和氧化硅的导电的光传输氧化层，在导电的光传输氧化层之上形成其中硅的密度比导电的光传输氧化层中的高的势垒层，形成具有导电的光传输氧化层和势垒层的阳极，在真空气氛下加热阳极，在加热的阳极之上形成电致发光层，以及在电致发光层之上形成阴极，其中在电致发光层和导电的光传输氧化层之间形成势垒层。
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公开(公告)号：CN1716650A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200410094236.2
申请日：2004-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/322 , H01L27/3276 , H01L51/5048 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/52 , H01L51/5206 , H01L51/5215 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5259 , H01L51/56
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种用于制造具有高的内量子效率、低功耗、具有高的亮度和具有高可靠性的发光器件的方法。本发明提供一种发光器件的制造方法，包括如下步骤：形成包括导电的光传输氧化物材料和氧化硅的导电的光传输氧化层，在导电的光传输氧化层之上形成其中硅的密度比导电的光传输氧化层中的高的势垒层，形成具有导电的光传输氧化层和势垒层的阳极，在真空气氛下加热阳极，在加热的阳极之上形成电致发光层，以及在电致发光层之上形成阴极，其中在电致发光层和导电的光传输氧化层之间形成势垒层。
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公开(公告)号：CN1649461A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510006890.8
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 揭示了一种能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化的发光装置。更具体地说，揭示了一种不仅能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化，而且能防止杂质以免从发光元件散布到薄膜晶体管中。被揭示的发光装置包括基底；设置在该基底上的第一绝缘层；设置在该第一绝缘层上的晶体管；以及具有第一开口部分的第二绝缘层，使得该晶体管被覆盖，而该基底被暴露；其中发光元件被设置在第一开口部分内部。
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