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公开(公告)号：CN101697353A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910168678.X
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5262
Abstract: 本发明涉及发光器件。本发明的目的是提供一种能有效率地防止杂质从衬底扩散到晶体管，以及在向其外提取光的过程中减少光的反射的发光器件。本发明的一个特征是发光器件包括衬底，设置在衬底上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的晶体管，以及具有设置成暴露衬底的第一开口部分以及覆盖晶体管的第二绝缘层，其中发光元件设置在第一开口部分内。
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公开(公告)号：CN1649460A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510006889.5
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5262
Abstract: 本发明的目的是提供一种能有效率地防止杂质从衬底扩散到晶体管，以及在向其外提取光的过程中减少光的反射的发光器件。本发明的一个特征是发光器件包括衬底，设置在衬底上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的晶体管，以及具有设置成暴露衬底的第一开口部分以及覆盖晶体管的第二绝缘层，其中发光元件设置在第一开口部分内。
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公开(公告)号：CN101588660B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200910139830.1
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 揭示了一种能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化的发光装置。更具体地说，揭示了一种不仅能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化，而且能防止杂质以免从发光元件散布到薄膜晶体管中。被揭示的发光装置包括基底；设置在该基底上的第一绝缘层；设置在该第一绝缘层上的晶体管；以及具有第一开口部分的第二绝缘层，使得该晶体管被覆盖，而该基底被暴露；其中发光元件被设置在第一开口部分内部。
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公开(公告)号：CN101697353B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910168678.X
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5262
Abstract: 本发明涉及发光器件。本发明的目的是提供一种能有效率地防止杂质从衬底扩散到晶体管，以及在向其外提取光的过程中减少光的反射的发光器件。本发明的一个特征是发光器件包括衬底，设置在衬底上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的晶体管，以及具有设置成暴露衬底的第一开口部分以及覆盖晶体管的第二绝缘层，其中发光元件设置在第一开口部分内。
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公开(公告)号：CN1819300A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510124901.2
申请日：2005-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5237 , H01L27/3246 , H01L27/3251 , H01L27/3258 , H01L27/3276 , H01L29/78654 , H01L29/78675 , H01L51/5016 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/56
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种发光器件，其中，即使将有机绝缘膜用作发光器件的绝缘膜，也会抑制周边劣化的发生。另外，本发明的目的是提供长时间的可靠性可得到改进的发光器件。在发光元件的阴极下面的密封材料下面，没有连续提供无机膜、有机膜和无机膜的结构。另外，即使在发光元件的阴极下面连续提供无机膜、有机膜和无机膜的结构，也会通过限定形成于有机膜之上的无机膜的形状来抑制水的渗透。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1819300B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200510124901.2
申请日：2005-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5237 , H01L27/3246 , H01L27/3251 , H01L27/3258 , H01L27/3276 , H01L29/78654 , H01L29/78675 , H01L51/5016 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/56
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种发光器件，其中，即使将有机绝缘膜用作发光器件的绝缘膜，也会抑制周边劣化的发生。另外，本发明的目的是提供长时间的可靠性可得到改进的发光器件。在发光元件的阴极下面的密封材料下面，没有连续提供无机膜、有机膜和无机膜的结构。另外，即使在发光元件的阴极下面连续提供无机膜、有机膜和无机膜的结构，也会通过限定形成于有机膜之上的无机膜的形状来抑制水的渗透。
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公开(公告)号：CN100541812C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200510006890.8
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 揭示了一种能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化的发光装置。更具体地说，揭示了一种不仅能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化，而且能防止杂质以免从发光元件散布到薄膜晶体管中。被揭示的发光装置包括基底；设置在该基底上的第一绝缘层；设置在该第一绝缘层上的晶体管；以及具有第一开口部分的第二绝缘层，使得该晶体管被覆盖，而该基底被暴露；其中发光元件被设置在第一开口部分内部。
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公开(公告)号：CN101588660A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910139830.1
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 揭示了一种能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化的发光装置。更具体地说，揭示了一种不仅能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化，而且能防止杂质以免从发光元件散布到薄膜晶体管中。被揭示的发光装置包括基底；设置在该基底上的第一绝缘层；设置在该第一绝缘层上的晶体管；以及具有第一开口部分的第二绝缘层，使得该晶体管被覆盖，而该基底被暴露；其中发光元件被设置在第一开口部分内部。
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公开(公告)号：CN100555704C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510006889.5
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5262
Abstract: 本发明的目的是提供一种能有效率地防止杂质从衬底扩散到晶体管，以及在向其外提取光的过程中减少光的反射的发光器件。本发明的一个特征是发光器件包括衬底，设置在衬底上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的晶体管，以及具有设置成暴露衬底的第一开口部分以及覆盖晶体管的第二绝缘层，其中发光元件设置在第一开口部分内。
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公开(公告)号：CN1649461A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510006890.8
申请日：2005-01-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258
Abstract: 揭示了一种能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化的发光装置。更具体地说，揭示了一种不仅能减少取决于观看光引出表面角度的发射光谱变化，而且能防止杂质以免从发光元件散布到薄膜晶体管中。被揭示的发光装置包括基底；设置在该基底上的第一绝缘层；设置在该第一绝缘层上的晶体管；以及具有第一开口部分的第二绝缘层，使得该晶体管被覆盖，而该基底被暴露；其中发光元件被设置在第一开口部分内部。
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