公开(公告)号：CN115537880A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210729789.9

申请日：2022-06-24

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 文太均 ,  李晙赫 ,  田承勋 ,  徐俊喆 ,  许㯙 ,  申贤哲 ,  金成玟 ,  李相赫 ,  金荣光 ,  金龙会 ,  安容燮

IPC: C25C5/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种金属离子的回收系统和显示器用电极制造装置，通过将接地工艺和附加的冷却工艺用于金属离子的回收，可以从含金属离子的溶液有效回收金属离子并进行再生。

公开(公告)号：CN115404482A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210579448.8

申请日：2022-05-26

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 朴种熙 ,  金炯式 ,  李相赫 ,  金龙会 ,  金荣光 ,  姜东浒 ,  申贤哲 ,  金成太 ,  李东勋 ,  李民惠 ,  李秉洙 ,  郑棊水

IPC: C23F1/30 ,  C23F1/44 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供一种蚀刻液组合物及利用其的显示装置的制造方法。一实施例涉及的蚀刻液组合物包括9.0重量％至9.9重量％的无机酸化合物、5.0重量％至10.0重量％的无机盐化合物、35重量％至45重量％的有机酸化合物、10重量％至20重量％的乳酸盐系化合物、0.1重量％至1.0重量％的含氧的氮环型化合物以及用于使整个组合物的总重量成为100重量％的余量的水，上述无机酸化合物的酸解离常数(pKa)值为‑1.0至‑3.0。

公开(公告)号：CN113881938A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110745093.0

申请日：2021-07-01

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金荣光 ,  姜东浒 ,  金圣雄 ,  车敬雄 ,  裴正贤 ,  申贤哲

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明涉及一种可以在形成阵列基板的金属布线时使用的不包含乙酸的蚀刻液组合物。本发明可以提供一种包含磷酸40至65重量％、硝酸2至10重量％、非挥发性有机酸1至10重量％、铵盐化合物以及氨基酸，所述铵盐化合物的含量以及所述氨基酸的含量的之为2至10重量％的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物可以在对银(Ag)单一膜或包含银(Ag)的多重膜进行蚀刻时对所述多重膜的残渣进行控制并增加蚀刻液的使用时间，还可以降低蚀刻液的挥发性，从而在大面积阵列基板上形成均匀的布线。